JAEA-Review-2010-065.pdf:15.99MB - 日本原子力研究開発機構
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<strong>JAEA</strong>-<strong>Review</strong> <strong>2010</strong>-065<br />
1. Space, Nuclear and Energy Engineering<br />
1-01 Radiation Resistance of InGaP/GaAs Dual-Junction Thin-Film Space Solar<br />
Cell ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 5<br />
M. Imaizumi, S. Sato, T. Ohshima, M. Takahashi and K. Kibe<br />
1-02 Detection of Photons Induced by a Single Ion Strike ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 6<br />
S. Onoda, T. Makino and T. Ohshima<br />
1-03 Evaluation of Soft Error Rates in SOI SRAM with a Technology Node of<br />
90 nm Using Oxygen Ion Probe ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 7<br />
S. Abo, N. Masuda, F. Wakaya, S. Onoda, T. Makino, T. Hirao, T. Ohshima,<br />
T. Iwamatsu, H. Oda and M. Takai<br />
1-04 Feasibility Study on a 90 nm Bulk CMOS Process for Applicability to Space<br />
Environments ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 8<br />
A. Maru, H. Shindou, S. Kuboyama, T. Hirao and T. Ohshima<br />
1-05 Heavy-ion Induced Current in SOI p + n Junction Diode ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 9<br />
Y. Takahashi, A. Ohwaki, H. Takeyasu, T. Hirao, S. Onoda and T. Ohshima<br />
1-06 Study of Ion-Implantation Condition Effects for AlGaN/GaN-Based Light<br />
Emitting Device ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 10<br />
H. Okada, T. Hata, M. Kondo, Y. Furukawa, A. Wakahara,<br />
S. Sato and T. Ohshima<br />
1-07 Total Ionizing Dose Tolerance of SiC Buried Gate Static Induction<br />
Transistors up to 10 MGy ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 11<br />
S. Onoda, Y. Tanaka, A. Takatsuka, T. Yatsuo and T. Ohshima<br />
1-08 Evaluation of Radiation Tolerance of General Electronic Devices ・・・・・・・・・・・ 12<br />
N. Sasaki, Y. Kakimi, T. Nakao, K. Ogawa, T. Ohshima,<br />
T. Hirao and S. Onoda<br />
1-09 Evaluation of Single Event Effects on Commercial-off-the-Shelf<br />
Semiconductors for Space Flight Applications ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 13<br />
I. Kato, S. Matsuda, S. Baba, T. Hirose, J. Ohya, H. Okamoto,<br />
H. Katayama, M. Naitoh, M. Harada, M. Suganuma and Y. Tange<br />
1-10 Mechanisms of Changes of Hole Concentration in Al-doped 6H-SiC by<br />
Electron Irradiation and Annealing ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 14<br />
H. Matsuura, H. Yanagisawa, K. Nishino, Y. Myojin, T. Nojiri,<br />
Y. Matsuyama, S. Onoda and T. Ohshima<br />
1-11 Hydrogen Diffusion in a-Si:H Thin Films due to High Temperature Ion<br />
Irradiation ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 15<br />
S. Sato, T. Ohshima and M. Imaizumi<br />
1-12 NV Centers in Diamond Irradiated with High Energy Nitrogen Ions and<br />
2 MeV Electrons ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 16<br />
J. Isoya, T. Umeda, N. Mizuochi, T. Ohshima, S. Onoda,<br />
S. Sato and N. Morishita<br />
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