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Untersuchung des reaktiven Sputterprozesses zur Herstellung von ...

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2.2. Zinkoxid 11<br />

Transmission, Reflexion, Absorption<br />

1.00<br />

0.75<br />

0.50<br />

0.25<br />

0<br />

Bereich I<br />

λ g<br />

Bereich II<br />

Reflexion<br />

Bereich III<br />

Transmission<br />

Absorption<br />

500 1500 2000 2500<br />

Wellenlänge λ (nm)<br />

Abbildung 2.2: Optische Transmission, Reflexion und Absorption einer ZnO:Al-Schicht als Funktion der Wellenlänge<br />

(aus Kluth (2001)).<br />

2.2.3 Optische Eigenschaften<br />

Zinkoxid zeichnet sich durch eine hohe optische Transparenz im sichtbaren und nahen infraroten<br />

(NIR) Spektralbereich als direkte Konsequenz ihrer großen Bandlücke (Eg = 3,2–3,4 eV) aus.<br />

Eine für hoch dotierte Zinkoxidschichten typische Transmissionskurve zeigt Abb. 2.2. Bei den<br />

optischen Eigenschaften sind drei Bereiche <strong>von</strong>einander zu unterscheiden.<br />

Bereich I: Bis zu einer Wellenlänge λg besitzen die einfallenden Photonen ausreichend Energie<br />

für die Fundamentalanregung der Elektronen. Die korrespondierende Energie entspricht bei<br />

einem undotierten, stöchiometrischen Kristall genau dem Bandabstand Eg0, also der minimal<br />

notwendigen Energie <strong>zur</strong> Anregung eines Elektrons vom Valenzband in das Leitungsband. Dies<br />

ist in Abb. 2.3(a) dargestellt. Für TCO-Materialien mit einer Bandlückenenergie Eg ≥ 3 eV liegt<br />

diese Absorptionskante im UV-Bereich. Bei stark dotiertem Zinkoxid wird die genaue Lage der<br />

optischen Absorptionskante aber neben der Bandlücke Eg0 noch durch zwei konkurrierende Effekte<br />

bestimmt:<br />

Vergrößerung der optischen Bandlücke: Mit steigender Ladungsträgerkonzentration<br />

wird die Absorptionskante zu kürzeren Wellenlängen (oder größeren Energien) hin verschoben.<br />

Dieser Effekt ist als Burstein-Moss-Verschiebung bekannt [Burstein (1954), Moss (1954)]. Er<br />

λ P

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