Nanotechnologie in der Schule - Prof. Dr. Thomas Wilhelm
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4 Allgeme<strong>in</strong>es zum Rastertunnelmikroskop<br />
Messungen und <strong>der</strong>en Ableitung dI(U)/dU gew<strong>in</strong>nen. Die Interpretation <strong>der</strong> Messergeb-<br />
nisse als lokale Zustandsdichte ist aber schwierig, da die elektronische Struktur <strong>der</strong> Spitze<br />
ρT sowie die Spannungsabhängigkeit des Transmissionskoeffizienten beim Tunnelprozess<br />
unbekannt s<strong>in</strong>d. Erstere sollte konstant se<strong>in</strong> und somit nur e<strong>in</strong>en Untergrundbeitrag leis-<br />
ten. Ist diese Voraussetzung gegeben, so kann man aus dem lokalen Tunnelspektrum die<br />
lokale Zustandsdichte <strong>der</strong> Probe erhalten (siehe Abbildung 4.19 auf Seite 63). Diese An-<br />
nahme ist berechtigt, wenn man mit verschiedenen Spitzen an verschiedenen Stellen <strong>der</strong><br />
Probe misst und die Messergebnisse untere<strong>in</strong>an<strong>der</strong> vergleicht. In manchen Fällen kann man<br />
die Spannungsabhängigkeit des Transmissionskoeffizienten durch Normierung <strong>der</strong> Daten<br />
dI(U), dU, (I/U) auf die angelegte Spannung U erhalten.<br />
Durch diese Messmethode erreicht man e<strong>in</strong>e deutlich höhere Auflösung <strong>der</strong> elektronischen<br />
Zustandsdichte <strong>der</strong> Probe. Neben dieser Bestimmung kann man mit Hilfe dieser Metho-<br />
de auch den E<strong>in</strong>fluss <strong>der</strong> strukturellen Eigenschaften <strong>der</strong> Probe auf die Zustandsdichte<br />
untersuchen.<br />
I-z Spektroskopie<br />
E<strong>in</strong>e an<strong>der</strong>e Möglichkeit besteht dar<strong>in</strong>, den Tunnelstrom I <strong>in</strong> Abhängigkeit <strong>der</strong> Höhe a <strong>der</strong><br />
Spitze über <strong>der</strong> Probe zu detektieren. Dabei kann man sich die Vorteile dieser Methode an<br />
e<strong>in</strong>em e<strong>in</strong>dimensionalen Modell verdeutlichen. Der Tunnelstrom I hängt exponentiell von<br />
<strong>der</strong> Höhe a ab und ist folgen<strong>der</strong>maßen charakterisiert (nach Gleichung (4.58) auf Seite 62):<br />
I(z) = A · e<br />
√<br />
2mEA<br />
a �<br />
(4.61)<br />
mit e<strong>in</strong>er Barrierenhöhe EA und e<strong>in</strong>er Konstanten A. EA ist e<strong>in</strong>e materialabhängige Grö-<br />
ße und kann Rückschlüsse auf verschiedene chemische Elemente <strong>der</strong> Probe geben. Somit<br />
kann mit Hilfe dieser Methode die Verteilung von verschiedenen chemischen Elementen<br />
an <strong>der</strong> Probenoberfläche sichtbar gemacht werden. Dazu moduliert man die Uz-Spannung<br />
des Piezos leicht. Dies führt zu e<strong>in</strong>er Än<strong>der</strong>ung des Tunnelstromes dI. Diese Än<strong>der</strong>ung<br />
wird anschließend <strong>in</strong> dem fließenden Tunnelstrom detektiert, sodass man bei bekannter<br />
Modulationsamplitude auf die lokale Verteilung <strong>der</strong> Barrierenhöhe schließen kann.<br />
z-U Spektroskopie<br />
Als letzte Möglichkeit ist noch die Messung <strong>der</strong> Verän<strong>der</strong>ung des Abstandes z zwischen<br />
Spitze und Probe bei konstantem Tunnelstrom <strong>in</strong> Abhängigkeit <strong>der</strong> angelegten Tunnel-<br />
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