Nanotechnologie in der Schule - Prof. Dr. Thomas Wilhelm
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4 Allgeme<strong>in</strong>es zum Rastertunnelmikroskop<br />
nicht rechteckig, son<strong>der</strong>n fällt zur Probe h<strong>in</strong> ab. Legt man e<strong>in</strong>e Spannung U zwischen Probe<br />
und Spitze an, so verschiebt dies die beiden Ferm<strong>in</strong>iveaus relativ zue<strong>in</strong>an<strong>der</strong>. Für U > 0<br />
(siehe Abbildung (c)) tunneln Elektronen elastisch von besetzten Zuständen <strong>der</strong> Spitze <strong>in</strong><br />
unbesetzte <strong>der</strong> Probe. Für U < 0 geschieht dies umgekehrt (siehe Abbildung (d)).<br />
4.3 Arbeitsweisen des Rastertunnelmikroskops<br />
Nachdem nun <strong>der</strong> Tunneleffekt geklärt wurde, soll im folgenden Unterkapitel die konkrete<br />
Funktionsweise und technische Realisierung des RTMs behandelt werden.<br />
Messungen mit dem Rastertunnelmikroskop können auf unterschiedliche Art und Weise<br />
durchgeführt werden. Man unterscheidet die folgenden fünf Betriebsarten, die <strong>in</strong> zwei Ka-<br />
tegorien geordnet s<strong>in</strong>d [Die06]:<br />
4.3.1 Topografische Betriebsart<br />
Mit dem topografischen Betriebsmodus erreicht man e<strong>in</strong>e Auflösung von leitfähigen Ober-<br />
flächen im atomaren Bereich. Hierbei unterscheidet man wie<strong>der</strong>um zwei verschiedene Be-<br />
triebsmodi, den Konstant-Strom Modus und den Konstant-Höhen Modus.<br />
Konstant-Strom Modus<br />
In diesem Modus wird die Probe so abgerastert, dass konstant <strong>der</strong> gleiche Tunnelstrom<br />
fließt. Die Steuerung und Nachregulation <strong>der</strong> Spitze erfolgt mit Hilfe e<strong>in</strong>es Piezokristalls 1 .<br />
Man gibt e<strong>in</strong>e Spannung Ux und Uy am Piezo vor. Dies bewirkt, dass sich die Spitze<br />
<strong>in</strong> e<strong>in</strong>er Position <strong>in</strong> <strong>der</strong> x-/y-Ebene über <strong>der</strong> Probe positioniert. Bef<strong>in</strong>det man sich nahe<br />
genug über <strong>der</strong> Oberfläche, fließt e<strong>in</strong> bestimmter Tunnelstrom I0. E<strong>in</strong>e Variation <strong>der</strong> am<br />
Piezokristall anliegenden Spannungen Ux bzw. Uy bewirkt e<strong>in</strong> Bewegen <strong>der</strong> Spitze <strong>in</strong> x−<br />
bzw. y− Richtung. Än<strong>der</strong>t sich die Topografie <strong>der</strong> Oberfläche, so än<strong>der</strong>t sich auch <strong>der</strong><br />
Tunnelstrom I. Mit e<strong>in</strong>er Nachregulation <strong>der</strong> Spannung Uz am Piezo, korrigiert man jetzt<br />
die Spitzenhöhe z über <strong>der</strong> Probe, bis wie<strong>der</strong> <strong>der</strong> ursprüngliche Tunnelstrom I0 fließt. Die<br />
am Piezo anliegende Spannung Uz macht also e<strong>in</strong>e direkte Aussage über die Topografie <strong>der</strong><br />
Oberfläche. Nach dem Modell von Tersoff und Hamann versteht man unter Topografie<br />
die Hyperfläche konstanter Zustandsdichte.<br />
64<br />
1 E<strong>in</strong>e genauere Beschreibung <strong>der</strong> Funktionsweise des Kristalls f<strong>in</strong>det man im Kapitel 4.4 auf Seite 67.