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4.4 Mikroelektroden-Arrays 63 NL) ein Si-Wafer mit 1500 nm SiO2 beschichtet. Der Prozess wurde bei 950 ℃ durchgeführt. Darauf folgten die nachstehenden Strukturierungsschritte zur Herstellung von MEAs (siehe Abb. 4.13): 1. Auf den SiO2-Schichten wurden mit einer Sputteranlage vom Typ ZH 620 der Firma Emerald Technology Ventures AG (Zürich) 10 nm Ti als Adhäsionsschicht, 200 nm Au und noch einmal 10 nm Ti deponiert. Es folgte die Beschichtung mit dem Positivlack AZ 6612 (MicroChemicals GmbH, Ulm), der mit einem Mask-Aligner MA 6 der Firma Süss MicroTec AG (Garching) photolithographisch vorstrukturiert wurde. 2. Anschließend wurden die überschüssigen Metallbereiche und Lackreste trockenätztechnisch mittels Ion Beam Etching (IBE) mit Argon als Prozessgas entfernt. Hierfür kam ein Ionfab 300 Plus-System der Firma Oxford Instruments Plasma Technology (Wiesbaden) zum Einsatz. 3. Auf die SiO2-Schicht mit Ti/Au/Ti wurde nun mittels Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (PECVD) eine elektrisch isolierende Schicht aus SiO2 und Si3N4 (kurz: ONO-Schicht) deponiert. Die oberste Ti-Schicht diente hierbei zur besseren Haftung des ONO-Stapels auf dem vorstrukturierten Wafer. Die verwendete PECVD stammte von der Firma Surface Technology Systems plc (STS, Newport, UK). Durch Photolithographie wurde die ONO-Schicht nun so strukturiert, dass die Elektrodenbereiche frei lagen, die Leiterbahnen aber weiterhin passiviert waren. An den Rändern der Elektroden verblieb ein schmaler Streifen ONO zur Vermeidung von Kurzschlüssen. Bei diesem photolithographischen Schritt wurde der Lack AZ 1518 der Firma MicroChemicals verwendet. 4. Das Öffnen der ONO-Schicht an den aktiven Elektrodenfenstern erfolgte trockenätztechnisch mittels Reactive Ion Etching (RIE). Für diesen Schritt kam ein Plasma- Ätz-System von STS zum Einsatz, und das Substrat wurde rückseitig mit Helium gekühlt. Die Oxidschichten wurden mit CF4 und CHF3 als Prozessgas entfernt, für das Nitrid wurden CF4, O2 und CHF3 verwendet. Gleichzeitig wurden die oberen 10 nm Ti weggeätzt um einen Kontakt zum darunterliegenden Gold zu erlangen.
64 Kapitel 4: Methoden und Materialien Abbildung 4.13: Herstellung von MEAs auf Si-Substraten mittels Lithographie, Metallisierung und Aufbringen einer Passivierungsschicht
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2 Einleitung Bioelektronische Syste
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3 Grundlagen 3.1 Extrazelluläre Ab
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3.2 Modifikation von planaren Mikro
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3.2 Modifikation von planaren Mikro
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146 Kapitel 7: Ausblick nostrukture
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Literaturverzeichnis [1] W. L. C. R
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Literaturverzeichnis 151 [19] D. A.
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Literaturverzeichnis 153 porous alu
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Literaturverzeichnis 155 [61] F. Li
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Literaturverzeichnis 157 adhesion.
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