View - JUWEL - Forschungszentrum Jülich
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40 Kapitel 3: Grundlagen<br />
Abbildung 3.24: Elektrischer Schaltkreis zur Beschreibung einer neuronalen Zellmembran<br />
[89] .<br />
RNa: variabler Widerstand das Na + -Ionenkanals, RK: variabler Widerstand<br />
das K + -Ionenkanals, Rl: konstanter Leck-Widerstand<br />
Der gesamte Membranstrom I wird nun in einen kapazitiven und einen ionischen Strom<br />
unterteilt, wobei cM die spezifische Membrankapazität ist:<br />
I = cM · dV<br />
dt<br />
+ Ii<br />
(3.26)<br />
mit Ii = INa + IK + Il. INa ist der Anteil aus Na + -Ionen, IK ist auf K + -Ionen zurückzuführen,<br />
und Il bezeichnet einen Leckstrom, der durch Chlorid- und andere Ionen hervorgerufen<br />
wird. Diese individuellen Ionenströme lassen sich auch wie folgt darstellen:<br />
INa = gNa · (E − ENa) (3.27)<br />
IK = gK · (E − EK) (3.28)<br />
Il = gl · (E − El) (3.29)<br />
Dabei bezeichnen ENa, EK und El die Gleichgewichtspotenziale, an denen der jeweilige<br />
Ionenstrom gleich Null ist. Laut Hodgkin und Huxley können die Gleichgewichtspotenziale<br />
als konstant angenommen werden, ebenso gl und CM. DagNa und gK von Zeit und<br />
Membranpotenzial abhängen, sind diese beiden Größen verantwortlich für die Entstehung<br />
eines Aktionspotenzials [89, 90] .