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View - JUWEL - Forschungszentrum Jülich

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40 Kapitel 3: Grundlagen<br />

Abbildung 3.24: Elektrischer Schaltkreis zur Beschreibung einer neuronalen Zellmembran<br />

[89] .<br />

RNa: variabler Widerstand das Na + -Ionenkanals, RK: variabler Widerstand<br />

das K + -Ionenkanals, Rl: konstanter Leck-Widerstand<br />

Der gesamte Membranstrom I wird nun in einen kapazitiven und einen ionischen Strom<br />

unterteilt, wobei cM die spezifische Membrankapazität ist:<br />

I = cM · dV<br />

dt<br />

+ Ii<br />

(3.26)<br />

mit Ii = INa + IK + Il. INa ist der Anteil aus Na + -Ionen, IK ist auf K + -Ionen zurückzuführen,<br />

und Il bezeichnet einen Leckstrom, der durch Chlorid- und andere Ionen hervorgerufen<br />

wird. Diese individuellen Ionenströme lassen sich auch wie folgt darstellen:<br />

INa = gNa · (E − ENa) (3.27)<br />

IK = gK · (E − EK) (3.28)<br />

Il = gl · (E − El) (3.29)<br />

Dabei bezeichnen ENa, EK und El die Gleichgewichtspotenziale, an denen der jeweilige<br />

Ionenstrom gleich Null ist. Laut Hodgkin und Huxley können die Gleichgewichtspotenziale<br />

als konstant angenommen werden, ebenso gl und CM. DagNa und gK von Zeit und<br />

Membranpotenzial abhängen, sind diese beiden Größen verantwortlich für die Entstehung<br />

eines Aktionspotenzials [89, 90] .

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