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5.4 Nanostrukturierung von Gold-Mikroelektroden 111
Passivierung erforderlich, da die Nanopillars sonst wesentlich niedriger wären als die Passivierung
und nicht nah genug an die Zellmembran heranreichen würden. Daher konnte
diese Isolierschicht nicht zur Passivierung von Nanopillar-MEAs verwendet werden.
(a) REM-Aufnahme von Rissen in
der 1, 5 μm dicken Parylenschicht
(b) Leckstrom gemessen an einer 3, 2 μm
dicken Parylenschicht [100]
Abbildung 5.35: Passivierung von Gold-Leiterbahnen mit Parylen C
(a) MEA-Chip mit
Aluminiumschicht
(b) Passivierte Leiterbahnen ohne
Aluminiumfilm
Abbildung 5.36: MEA-Chips mit ONO-Schichten des IBN-2
3) ONO-Schicht, prozessiert am IBN-2
Mittels PECVD in einer Plasmalab Anlage von Oxford Instruments Plasma Technology
(Wiesbaden) wurden im IBN-2 450 nm und 750 nm dicke ONO-Stapel mit den nachstehenden
Abfolgen hergestellt: 100 nm / 150 nm / 100 nm und 300 nm / 150 nm / 300 nm.
Für beide Schichttypen traten starke Adhäsionsprobleme der ONO-Passivierung auf den