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Vorstoß zu neuen Energien - Server der Fachgruppe Physik der ...

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Funktion von Siliziumdetektoren<br />

� Ortsinformation durch Segmentierung einer (i.a. p + ) Seite in Streifen o<strong>der</strong> Pixel<br />

Streifenabstand 20 - 200 mu. Länge bestimmt von Wafer Dimension.<br />

� Typische Dicke Sensor ~300 mu<br />

� Substrat n-dotiert, Übergang <strong>zu</strong> einer p+ Schicht, Rückseite n++ dotiert mit<br />

Kontaktierung <strong>zu</strong>r Metallelektrode<br />

300 - 500 µm<br />

Al Al<br />

Silizium-Oxid<br />

n-Bulk<br />

n + Schicht<br />

p p<br />

Al-Rückseite<br />

K.Hoepfner ; DESY 26.11.2003 <strong>Vorstoß</strong> <strong>zu</strong> <strong>neuen</strong> <strong>Energien</strong> 31<br />

Al<br />

p<br />

- +<br />

-<br />

-<br />

+<br />

+

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