Vorstoß zu neuen Energien - Server der Fachgruppe Physik der ...
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Funktion von Siliziumdetektoren<br />
� Ortsinformation durch Segmentierung einer (i.a. p + ) Seite in Streifen o<strong>der</strong> Pixel<br />
Streifenabstand 20 - 200 mu. Länge bestimmt von Wafer Dimension.<br />
� Typische Dicke Sensor ~300 mu<br />
� Substrat n-dotiert, Übergang <strong>zu</strong> einer p+ Schicht, Rückseite n++ dotiert mit<br />
Kontaktierung <strong>zu</strong>r Metallelektrode<br />
300 - 500 µm<br />
Al Al<br />
Silizium-Oxid<br />
n-Bulk<br />
n + Schicht<br />
p p<br />
Al-Rückseite<br />
K.Hoepfner ; DESY 26.11.2003 <strong>Vorstoß</strong> <strong>zu</strong> <strong>neuen</strong> <strong>Energien</strong> 31<br />
Al<br />
p<br />
- +<br />
-<br />
-<br />
+<br />
+