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Schaltungstechnik

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7.1 Differenzstufen 447<br />

Das Ergebnis dieser Maßnahmen zeigt Bild 7.1-13. Nicht berücksichtigt ist in<br />

der Darstellung die Rückwirkung der Transistoren durch eine vorhandene Sperrschichtkapazität.<br />

Der Vorteil des nunmehr vorliegenden AC-Ersatzschaltbildes in<br />

Bild 7.1-13 ist die Entkopplung von Ausgangskreis und Eingangskreis, sofern die<br />

Rückwirkung vom Kollektor auf die innere Basis (mit Cc gegeben) vernachlässigt<br />

werden kann. Der Spannungsabfall an reQ1 0+ 1<br />

steuert den Kollektorstrom<br />

von Q1, der an reQ20+ 1<br />

den Kollektorstrom von Q2.<br />

AC-Analyse bei Gleichtaktansteuerung: Bislang wurde nur die Differenzansteuerung<br />

betrachtet. Bei Gleichtaktansteuerung ist U11´ = 0 und U1 = U1´ (Bild<br />

7.1-13). Die Differenzstufe ist in diesem Fall mit RE bzw. mit RE 0+ 1<br />

seriengegengekoppelt.<br />

Die Seriengegenkopplung bewirkt eine hohe Gleichtaktunterdrükkung.<br />

Der Gleichtaktbetrieb einer Differenzstufe ist in Bild 7.1-14 dargestellt. Bei<br />

Gleichtaktansteuerung ehält man für die Ausgangsspannung:<br />

U (7.1-12)<br />

2 = U2' = RC 2 RE 0+ 1<br />

U1; Aus Symmetriegründen lässt sich folgende Vereinfachung treffen. Wird der<br />

gemeinsame Emitterwiderstand RE aufgespalten, so ist der Strom Ix = 0. Das<br />

schraffiert gekennzeichnete Leitungssegment kann ohne Störung der Funktion entfernt<br />

werden (siehe Bild 7.1-14). Bei Gleichtaktansteuerung verhält sich die Differenzstufe<br />

wie zwei getrennte, mit 2RE bzw. mit 2 RE 0+ 1<br />

seriengegengekoppelte<br />

Transistoren.<br />

a)<br />

R G <br />

U 0<br />

R C<br />

1<br />

2R E<br />

I x<br />

2<br />

U 2<br />

=<br />

0<br />

R C<br />

2R E<br />

1<br />

R G <br />

R G <br />

Bild 7.1-14: Zur Gleichtaktunterdrückung einer emittergekoppelten Differenzstufe; a)<br />

Gleichtaktansteuerung; b) Ersatzanordnung mit nur einem Transistor<br />

Offsetverhalten: Als nächstes soll das Offsetverhalten einer Differenzstufe mit<br />

dem eines Einzeltransistors verglichen werden. Um das Offsetverhalten zu ermitteln<br />

wird die Ansteuerung am Eingang weggenommen. Mögliche Stromänderungen<br />

am Ausgang ergeben sich dann nur aufgrund innerer Unsymmetrien.<br />

Verursacht werden diese Unsymmetrien durch Temperatureinflüsse, Parameterstreuungen<br />

und durch Alterungseinflüsse. Sie wirken sich auf die Stromverstärkung<br />

B, die Schwellspannung U BE und vor allem auf den Leckstrom I CB0 aus. Es<br />

b)<br />

U 0<br />

R C<br />

1<br />

2<br />

2R E<br />

U2 U0 RC --------<br />

2R3

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