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Schaltungstechnik

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7.1 Differenzstufen 445<br />

Allgemein wird bei unsymmetrischer Ansteuerung der Differenzstufe (Bild 7.1-<br />

9) der Transistor Q1 als Emitterfolger aus Sicht von Q2 betrieben, wobei Q2 in<br />

Basisgrundschaltung arbeitet. Das Eingangssignal U 1 teilt sich etwa hälftig auf die<br />

Steuerspannungen von Q1 und Q2 auf.<br />

Differenzstufe mit unsymmetrischer Versorgungsspannung: Bei unsymmetrischer<br />

Versorgungsspannung oder nur einer Versorgungsspannungsquelle ergibt<br />

sich ein Problem für die Arbeitspunkteinstellung, so dass U 11’ = 0 ist. Sind die<br />

Spannungsteilerwiderstände R1 und R2 toleranzbehaftet, so stellt sich ein unterschiedliches<br />

Basispotenzial ein. Bei Widerständen mit Toleranzwerten von 10%<br />

kann sich hier ein Unterschied um mehrere U T ergeben. Dies bewirkt eine unakzeptable<br />

Eingangsoffsetspannung und damit eine Verschiebung des Arbeitspunktes.<br />

Bild 7.1-11 zeigt eine Differenzstufe mit unsymmetrischer<br />

Versorgungsspannung und getrennten Basisspannungsteilern.<br />

1<br />

R 1<br />

C 1<br />

R 2<br />

U B<br />

R B1<br />

R C<br />

U B<br />

U22 2 2<br />

Q1 Q2 R E<br />

Bild 7.1-11: Ausführung einer emittergekoppelten Differenzstufe mit unsymmetrischer Versorgungsspannung<br />

Ein ähnliches Problem ergibt sich bei gleichem Basispotenzial aber ungleichen<br />

Transistoren. Der Arbeitspunkt von Transistor Q1 ergibt sich aus der Maschengleichung<br />

um den Steuerkreis (R B1 , U BE,Q1 und U RE bei gegebenem Basispotenzial).<br />

Aufgrund der Beschaltung wird eine gleiche Basis-Emitter-Spannung erzwungen<br />

(zweite Netzwerkgleichung zur Arbeitspunktbestimmung). Sind die Übertragungskennlinien<br />

der Transistoren nicht deckungsgleich (siehe Bild 7.1-12), so erhält man<br />

ebenfalls eine Unsymmetrie für die Kollektorströme und damit eine Offsetspannung<br />

am Ausgang. Im übrigen liegt eine Verschiebung der Übertragungskennlinien<br />

auch bei identischen Transistoren vor, wenn deren Temperatur ungleich ist. Die<br />

beiden Differenzstufentransistoren müssen daher ein hohes „Gleichlaufverhalten“<br />

hinsichtlich der technologischen Parameter und der Temperatur aufweisen. In integrierten<br />

Schaltungen kann dies als gegeben angesehen werden.<br />

I 0<br />

U B<br />

R C<br />

R 1<br />

R B2<br />

R 2<br />

U B<br />

C 1<br />

1

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