Schaltungstechnik

6.4 Digitale Anwendungsschaltungen mit MOSFETs 427
Experiment 6.4-13: SC_RCGlied_50p_2n
Das am Tiefpass dargestellte Prinzip kann auf andere Schaltungen angewendet
werden. Zur beispielhaften Erweiterung wird im folgenden Experiment eine SC-
Integratorschaltung gewählt.
Experiment 6.4-14: SC_Integrator1
Bild 6.4-31: SC-Integratorschaltung
Der Leckstrom der NMOS-Transistoren in der Größenordnung von nA bildet an
RL eine Offsetspannung, die sich am Ausgang bemerkbar macht. Aus dem Grunde
darf der Widerstand RL bzw. R2 nicht zu hochohmig sein.
8,0V
6,0V
4,0V
2,0V
0V
-2,0V
u 2
u 3
u 1
20s 60s 100s 140s 180s
Bild 6.4-32: Ergebnis des SC-Integrators