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Schaltungstechnik

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424 6 Funktionsschaltungen mit FETs<br />

Bild 6.4-27: Prinzipschaltung eines Schalter-Kondensator-Tiefpasses<br />

Das Simulationsergebnis der Testschaltung von Bild 6.4-26 zeigt das Ergebnis<br />

in Bild 6.4-28. Das Tiefpassverhalten ist im übrigen unabhängig vom Absolutwert<br />

der Kapazitäten. Es hängt ab von der Schaltfrequenz und vom Verhältnis der Kapazitäten.<br />

Allerdings ist bei kleinen Kapazitätswerten die Ladungsmenge bei gleicher<br />

Spannung niedriger. Damit haben Leckströme einen größeren Einfluss.<br />

5,0V<br />

2,5V<br />

0V<br />

500mV<br />

0V<br />

-500mV<br />

R 1<br />

u phi1 u phi2<br />

u 2<br />

u 3<br />

1<br />

S<br />

u 1 C1 C 2 u 2<br />

20s 60s 100s 140s 180s<br />

Bild 6.4-28: Ergebnis der TR-Analyse des SC-Tiefpasses; Einhüllende: Verlauf von u 2<br />

Zum besseren Verständnis wird der Zeitbereich gedehnt. In Bild 6.4-29 ist die<br />

Steuerspannung u phi1 und u phi2 der Transistoren M1 und M2 dargestellt, des weiteren<br />

der Ladestrom i C1 und i C2 der Kapazitäten. Die Größe des Ladestroms hängt<br />

vom Kapazitätswert und von der Änderungsgeschwindigkeit der Ladespannung ab.<br />

Um nicht zu hohe Ströme zu erhalten, sollte die Flankensteilheit der Steuerspannung<br />

für M1 und M2 nicht zu steil sein.<br />

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