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Schaltungstechnik

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6.4 Digitale Anwendungsschaltungen mit MOSFETs 421<br />

Um den Bogen zurück zur Analogtechnik zu spannen, wird ein CMOS-Inverter<br />

so beschaltet, dass der Arbeitspunkt in der Weise sich einstellt, dass ein Verstärkerverhalten<br />

gegeben ist. Es lassen sich somit mit einem Digitalschaltkreis bei geeigneter<br />

Beschaltung Verstärkereigenschaften realisieren. Bild 6.4-23 zeigt einen<br />

CMOS-Inverter mit Parallelgegenkopplung. Durch den Widerstand R2 im Rückkopplungspfad<br />

entsteht selbstzentrierend ein geeigneter Arbeitspunkt für den Verstärkerbetrieb.<br />

0<br />

R1<br />

5k<br />

Bild 6.4-23: CMOS-Inverter als parallelgegengekoppelter Verstärker<br />

C1<br />

10u<br />

3<br />

In einem ersten Experiment wird für die Testschaltung von Bild 6.4-23 der<br />

Arbeitspunkt bestimmt. Die Transistoren M1 und M2 sind so dimensioniert, dass<br />

sie gleiche Stromergiebigkeit aufweisen, somit muss bei 5V Versorgungsspannung<br />

der Arbeitspunkt am Ausgang bei 2,5V liegen.<br />

Wie bereits erwähnt, ist der CMOS-Inverter mit R2 parallelgegengekoppelt. Zur<br />

DC-Entkopplung muss am Eingang C1 eingefügt werden. Die Bestimmung des<br />

Arbeitspunktes erfolgt durch DC-Analyse. Das Ergebnis der DC-Analyse zeigt<br />

Bild 6.4-24. Bei zwei Transistoren sind zwei Netzwerkgleichungen so zu formulieren,<br />

dass nur Ströme und Steuerspannungen auftauchen. Die zwei Netzwerkgleichungen<br />

lauten für die Schaltung in Bild 6.4-23:<br />

– UGS<br />

M2 + UGS M1 = 5V;<br />

(6.4-18)<br />

IDM2 =<br />

V1 1<br />

+ -<br />

ID M1;<br />

Bei M1 = M2 ist wegen der Symmetrie UGS M1 = UGS M2 =<br />

25V ; der<br />

Arbeitspunkt liegt also damit genau dort, wo Verstärkung gegeben ist. Zunächst<br />

soll durch DC-Analyse der Testschaltung im folgenden Experiment dieser Sachverhalt<br />

bestätigt werden.<br />

Experiment 6.4-11: CMOSVER – DC-Analyse und AC-Analyse des Verstärkers<br />

im Arbeitspunkt mit dem SimulationProfile „DC“ und „AC“.<br />

R2<br />

200k<br />

M2<br />

PMOS<br />

M1<br />

NMOS<br />

0<br />

DC = 5V<br />

KP = 5u<br />

W = 160u<br />

L = 2u<br />

VTO = -1V<br />

2<br />

KP = 10u<br />

W = 80u<br />

L = 2u<br />

VTO = 1V<br />

VDD<br />

C2<br />

1p<br />

+ -<br />

0<br />

0

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