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Schaltungstechnik

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6.4 Digitale Anwendungsschaltungen mit MOSFETs 413<br />

Das Verhältnis der Transkonduktanzwerte der Transistoren bestimmt die Eingangsspannung,<br />

bei der eine hohe Verstärkung gegeben ist, bzw. bestimmt auch<br />

den für einen Inverter wichtigen Wert für U 2 (L) .<br />

6.4.2 CMOS-Inverter<br />

Eine besonders vorteilhafte Schaltungsanordnung ergibt sich, wenn der NMOS-<br />

Transistor des vorhergehenden Beispiels M2 durch einen PMOS-Transistor ersetzt<br />

wird. Dadurch erhält man den CMOS-Inverter. Bild 6.4-12 zeigt eine Beispielschaltung<br />

für einen CMOS-Inverter. Komplementäre CMOS-Inverterschaltungen<br />

bilden die Basis von CMOS-Logikanwendungen.<br />

Bild 6.4-12: CMOS Inverter<br />

UGS, M2<br />

UGS, M1<br />

In Bild 6.4-13 sind die Übertragungskennlinien der beiden Transistoren skizziert.<br />

Beide MOSFETs sind selbstsperrend, sie sollen nach Möglichkeit dieselbe<br />

Stromergiebigkeit aufweisen. Aufgrund der Beschaltung ist beim NMOS-Transistor<br />

stets U GS,M1 = U 1 und beim PMOS-Transistor ist U GS,M2 = U 1 – U DD . Ist die<br />

Eingangsspannung U 1 = U DD , so ist M1 leitend und M2 gesperrt. Bei U 1 = 0V ist<br />

M1 gesperrt und M2 leitend.<br />

M 2<br />

: P-MOS<br />

UPM2 ,<br />

UGS, M2<br />

Bild 6.4-13: CMOS-Inverter: Übertragungskennlinien der Transistoren<br />

I D<br />

UPM1 ,<br />

U1 U1 – UDD M 1<br />

U GS M1<br />

,<br />

: N-MOS<br />

U GS

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