Schaltungstechnik

398 6 Funktionsschaltungen mit FETs
R1
1
50k
+
-
V1
Bild 6.3-16: Ergebnis der DC-Analyse
0
M2
NMOS
160.0uA KP = 5u RDS = 1T IS = 10f
W = 32u CBD = 0
L = 2u CGSO = 0
VTO = -2VCGDO
= 0
4.875e-18A
R2
2
C2
500k
2.414V
KP = 10u 10p
C1 M1 160.0uA
3 W = 32u
2.414V L = 2u
10u
VTO = 1V
NMOS
0
Experiment 6.3-8: NMOSINV3_Verst – AC-Analyse mit Simulation Profile
„AC“.
1,0k
100
10
1,0
100m
10m
gmM1 500k 115
R2 R1 10 U2 U1 Bild 6.3-17: Ergebnis der AC-Analyse des NMOS-Inverters
0
U2 U3 V2 0
DC = 5V
160.0uA
5.000V
+ -
1,0kHz 100kHz 10MHz
Als nächstes erfolgt die Abschätzung für die AC-Analyse der Schaltung in Bild
6.3-15. R2 wirkt als Parallelgegenkopplung. Der Lastwiderstand an Knoten 2 ist
demzufolge im Schaltungsbeispiel gleich dem Gegenkopplungswiderstand und
damit 500k bei Vernachlässigung des Innenwiderstandes der Transistoren, die als
Stromquelle arbeiten. Somit ist die „innere“ Verstärkung von Knoten 3 nach Knoten
2:
v (6.3-18)
23 =
gmM1500k = 500k 44k= 114;