Schaltungstechnik

6.3 Anwendungsschaltungen mit Feldeffekttransistoren 395
5,0mA
I D
4,0mA
3,0mA
2,0mA
1,0mA
A ID 0A
0,5V 1,5V 2,5V UGS 3,5V
Bild 6.3-12: Übertragungskennlinie des PMOS-Transistors mit Arbeitspunktbestimmung
Wird der Strom über R1 gegenüber dem Drainstrom vernachlässigt, so wäre
I D,M1 (A) = ID,M2 (A) . Der NMOS-Transistor M1 bildet mit R1 und R2 DC-mäßig
eine Spannungsquelle, so dass sich die Spannung an Knoten 2 ergibt aus:
A UDS M1 =
A UGS M1 300k 200k;
(6.3-12)
Das Ergebnis der Arbeitspunktanalyse ist dem Bild 6.3-13 zu entnehmen.
+ -
0
1
V1
C1
10u
R1
200k
2.319V
11.59uA
NMOS
Bild 6.3-13: Ergebnis der Arbeitspunktanalyse des NMOS-Verstärkers
0
0
A
V2 0
10.00V
+ -
R10
5k
DC = 10V
M2
KP = 20u
533.3uA
W = 60u
L = 2u
VTO = 4V
R2
100k
PMOS
M1
2
3.478V
521.7uA KP = 40u
W = 30u
L = 2u
VTO = 1V