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Schaltungstechnik

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6.3 Anwendungsschaltungen mit Feldeffekttransistoren 393<br />

300<br />

100<br />

1,0<br />

300<br />

<br />

U2 U1 U4 <br />

IRF U2 U3 gmJ1 27k 60<br />

RF v32 + 1<br />

100<br />

1,0Hz 100Hz 10kHz 1,0MHz<br />

Bild 6.3-9: Ergebnis der AC-Analyse des Mikrofonverstärkers<br />

In einem weiteren Beispiel einer Verstärkerschaltung wird aufgezeigt, wie trotz<br />

geringer Steilheit eine relativ große Verstärkung bei Feldeffekttransistorschaltungen<br />

erzielt werden kann. Die Beispielschaltung (Bild 6.3-10) besteht aus einem<br />

NMOS-Transistor als Verstärkerelement mit einem PMOS-Transistor als Stromquelle<br />

im Lastkreis. Der PMOS-Transistor ist ein selbstleitender Transistor; der<br />

NMOS-Transistor ein selbstsperrender Typ. Das folgende Experiment untersucht<br />

die Schaltung.<br />

Experiment 6.3-4: NMOS_Verst – DC-Analyse mit Simulation Profile<br />

„BiasPoint“.<br />

Bild 6.3-10: Beispiel NMOS-Verstärker mit Stromquelle im Lastkreis

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