Schaltungstechnik

384 6 Funktionsschaltungen mit FETs
Beispiel 2 zur Arbeitspunkteinstellung: Bisher wurden Lösungen zur Arbeitspunkteinstellung
auf der Basis der Seriengegenkopplung im Sourcepfad diskutiert.
Eine Arbeitspunkteinstellung mit herkömmlicher Parallelgegenkopplung ist nur
bei Anreicherungs-MOS-Typen möglich. Im Folgenden wird eine Beispielschaltung
mit Drainstromeinprägung analysiert.
2,65V
10V
R3 1,8k
AI 0 – ID R4 R1 2
5k 39k
(-)
UGG =
Bild 6.2-9: Beispiel zur Arbeitspunktstabilität mit Stromeinprägung
1
Die Beispielschaltung in Bild 6.2-9 enthält zwei Transistorelemente, einen Bipolartransistor
und einen N-Kanal JFET. Der Bipolartransistor wirkt als Stromquelle
für den Feldeffekttransistor. Der Arbeitspunktstrom der beiden Transistoren ergibt
sich aus zwei Beschaltungsgleichungen, bei denen nur die Steuerspannungen der
Transistorelemente auftauchen.
IC = f1UBE; (6.2-6)
ID = f2UGS; Unter Vernachlässigung des Basisstroms von Q1 ergibt sich im Beispiel von Bild
6.2-9 an R3 ein Spannungsabfall von 2,65V. Gemäß Gl.(6.2-6) erhält man die
Beschaltungsgleichungen aus den im Bild 6.2-9 skizzierten Maschengleichungen:
ID + IE UGS + UGG = A 12mA – ID R1 ;
Die zweite Gleichung ist eine Bestimmungsgleichung für den gesuchten Arbeitspunktstrom
des JFET, wobei für A des Bipolartransistors A = 1 angenommen werden
kann. Somit ist im Beispiel I0 = 12mA.
ID =
UGS + UGG I0 – ----------------------------;
A R1 (6.2-8)
2V
(+)
Q1 J1 G
265V – UBE 2V
= -------------------------------- ------ 12mA;
R2 R2 24V
10V
R2 165
I0 12mA
ID RL D
S
(6.2-7)