Schaltungstechnik

374 6 Funktionsschaltungen mit FETs
für die Steuerung durch U BS eine andere Steilheit g m,B . In den meisten Anwendungsfällen
ist der Bulkanschluss auf einem festen Potenzial, es wird im allgemeinen
auf eine Steuerung durch U BS verzichtet.
U GS
CGD rDS CBD G B
C GS
gm UGS Bild 6.1-20: AC-Ersatzschaltbild für den MOSFET
Betreffs des Rauschverhaltens beim Isolierschicht-Feldeffekttransistor gilt das
im Bild 6.1-21 angegebene Ersatzschaltbild bei Steuerung mit U GS. Das thermische
Rauschen der Bahnwiderstände kann im allgemeinen vernachlässigt werden.
Prinzipiell ist der Rauschbeitrag des Gate-Bahnwiderstandes R G :
2
UrRG df
= 4 k T RG; Wesentlich ist auch hier der Beitrag des thermischen Rauschens und des 1/f-
Rauschanteils des Kanals mit dem Koeffizienten KF und dem Exponenten AF. Das
thermische Rauschen und der 1/f-Rauschanteil des Kanals beträgt näherungsweise:
2
IrD
df
Durch die kapazitive Kopplung zwischen Gate und Kanal ist am Gate ein zusätzliches,
durch das thermische Rauschen des Kanals induziertes Rauschen wirksam,
das mit dem Rauschen des Kanals korreliert ist. Zur Vereinfachung wird oft in
Rauschanalysen des Feldeffekttransistors der Rauschbeitrag des induzierten Gate-
Rauschens vernachlässigt.
G
8 k T gm
----------------------------
3
KF I AAF D
=
+ --------------------------- ;
f
RG
2
IrG G'
S
Bild 6.1-21: AC-Ersatzschaltbild eines Feldeffekttransistors mit Rauschquellen
D
S
gmB gm UGS df
IrD
C GS
C GD
2
UBS df
C BS
r DS CDS
U BS
D
(6.1-10)
(6.1-11)