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Schaltungstechnik

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6.1 Eigenschaften von Feldeffekttransistoren 373<br />

10mA<br />

I D<br />

8mA<br />

6mA<br />

4mA<br />

2mA<br />

0A<br />

0,5V 1,5V 2,5V 3,5V 4,5V UGS 5,5V<br />

Bild 6.1-18: Ergebnis der Übertragungskennlinie des selbstsperrenden NMOS-Transistors<br />

10mA<br />

I D<br />

8mA<br />

6mA<br />

4mA<br />

2mA<br />

0A<br />

U GS<br />

U GS<br />

U GS<br />

1V 3V 5V 7V UDS 9V<br />

Bild 6.1-19: Ergebnis der Ausgangskennlinien des selbstsperrenden NMOS-Transistors<br />

AC-Ersatzschaltbild: Das im Arbeitspunkt linearisierte Modell des MOSFET<br />

ist weitgehend identisch mit dem des Sperrschicht-FET (Bild 6.1-10). Hinzu<br />

kommt neben der Steuerung durch U GS, die Steuerung durch U BS. Allerdings gilt<br />

=<br />

=<br />

=<br />

6V<br />

5V<br />

4V

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