02.01.2013 Aufrufe

Schaltungstechnik

Schaltungstechnik

Schaltungstechnik

MEHR ANZEIGEN
WENIGER ANZEIGEN

Sie wollen auch ein ePaper? Erhöhen Sie die Reichweite Ihrer Titel.

YUMPU macht aus Druck-PDFs automatisch weboptimierte ePaper, die Google liebt.

6.1 Eigenschaften von Feldeffekttransistoren 365<br />

Beim P-Kanal JFET kehrt sich das Vorzeichen von UGS , UDS , ID um. Gleiches<br />

gilt für UP . Die Vorzeichenumkehr von ID kann durch Änderung des Zählpfeils aufgehoben<br />

werden. Ansonsten bleiben die Gleichungen und nicht vorzeichenabhängigen<br />

Parameter gleich. Bild 6.1-6 zeigt schematisch die Kennlinien des P-Kanal<br />

JFET. Wie bereits dargelegt, wird die Stromergiebigkeit eines FET definiert durch<br />

den Parameter . Die Stromergiebigkeit wird gemessen bei UGS = 0. In diesem<br />

Fall erhält man für den Drainstrom ID = IDS . Es gilt:<br />

2<br />

I --<br />

DS = U<br />

2 P;<br />

(6.1-4)<br />

I D<br />

I DS<br />

U GS<br />

A<br />

G<br />

Sperrbereich<br />

UGS – UP Abschnürbereich<br />

0<br />

0 A U U UGS 0 U<br />

GS P<br />

DS<br />

A UDSP S<br />

D<br />

I D<br />

U DS<br />

U GS<br />

Bild 6.1-6: Kennlinien des P-Kanal JFET mit positiv gezähltem Drainstrom<br />

Bild 6.1-7: Testschaltung zur Ermittlung der Kennlinien eines N-JFET<br />

ID Linearer<br />

Bereich<br />

In den nachstehenden Experimenten werden die Kennlinien eines N-JFET bzw.<br />

eines P-JFET ermittelt. Die Testschaltung hierzu zeigt Bild 6.1-7.

Hurra! Ihre Datei wurde hochgeladen und ist bereit für die Veröffentlichung.

Erfolgreich gespeichert!

Leider ist etwas schief gelaufen!