Schaltungstechnik

6.1 Eigenschaften von Feldeffekttransistoren 363
siehe Bild 6.1-5. Zur Unterscheidung zwischen N-Kanal und P-Kanal gilt grundsätzlich
(siehe Bild 6.1-2):
N-Kanal: Drainstrom fließt in das Bauteil am Drainanschluss!
P-Kanal: Drainstrom fließt aus dem Bauteil am Drainanschluss!
Hinsichtlich der Parameter unterscheiden sich P-Kanal FETs von N-Kanal FETs
lediglich im Vorzeichen der Schwellspannung U p .
In integrierter Technik müssen gegenüber dem physikalischen Aufbau nach Bild
6.1-3 noch zusätzlich isolierende pn-Übergänge vorgesehen werden. Damit ergibt
sich der in Bild 6.1-4 skizzierte planare Aufbau eines N-Kanal JFET mit isolierenden
pn-Übergängen.
n
Gate
G
Source
S
p + p +
Buried Layer
Substrat
Bild 6.1-4: Typischer Aufbau eines planaren N-Kanal JFET
p
p +
n
Drain
D
Kanalzone
Das Verhalten des Drainstroms ID in Abhängigkeit von der Steuerspannung
UGS und der Ausgangsspannung UDS ist durch den Zusammenhang in Gl.(6.1-1)
bis Gl.(6.1-3) gegeben. Der Zusammenhang stellt sich in der Form
ID = fU GS UDS dar. Graphisch veranschaulicht wird das Verhalten durch die
Übertragungskennlinie: ID = f1UGS mit UDS = const bzw. durch das
Ausgangskennlinienfeld: ID = f2UDS mit UGS =
const.
Die Kennlinien
des N-Kanal JFET sind in Bild 6.1-5 schematisch veranschaulicht.
Für die Gleichungen des „Widerstands“-Bereichs (Gl.(6.1-2)) und für den
Abschnürbereich (Gl.(6.1-3)) gibt es zwei Darstellungsarten. Neben der Darstellung
mit IDS als Parameter (siehe Bild 6.1-5a)) steht gleichberechtigt die Form mit
als Parameter. Der Zusammenhang zwischen IDS und ist aus Gl.(6.1-4) zu entnehmen.
n
n