Schaltungstechnik

6 Funktionsschaltungen mit FETs
Die bereits eingeführten Funktionsschaltungen mit BJTs werden um Funktionsprimitive
und Funktionsschaltungen mit Feldeffekttransistoren (FETs) erweitert. Nach
Erläuterung des Aufbaus, der Wirkungsweise und der wesentlichen Eigenschaften
von Feldeffekttransistoren, sowie möglicher Beschaltungen zur Arbeitspunkteinstellung,
geht es um die Vorstellung und Erläuterung wichtiger Funktionsschaltungen
mit Feldeffekttransistoren für verschiedene Anwendungsgebiete. Ein
Hauptanliegen ist dabei die Ermittlung der Eigenschaften zur Charakterisierung
und Einteilung der behandelten Funktionsschaltungen.
6.1 Eigenschaften von Feldeffekttransistoren
Grundsätzlich unterscheidet man zwischen Sperrschicht-Feldeffekttransistoren
(JFET) und Isolierschicht-Feldeffekttransistoren (MOSFET). In einer zusammenfassenden
Darstellung wird eingeführt in den physikalischen Aufbau und in daraus
ableitbare Modelle für Feldeffekttransistoren.
Ähnlich wie der Bipolartransistor stellt der Feldeffekttransistor im geeigneten
Arbeitspunkt betrieben eine spannungsgesteuerte Stromquelle dar. Im Rückblick
auf Kap. 4 ergeben sich Verstärkereigenschaften gemäß dem in Bild 6.1-1 dargestellten
Modell.
a)
A UGS + UGS
A ID + ID
U GS
Bild 6.1-1: Der Feldeffekttransistor als Verstärkerelement: a) Arbeitspunkt plus Änderung
im Arbeitspunkt; b) Änderungsanalyse im Arbeitspunkt
b)
Z id
gm
UGS Z a
I D