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Schaltungstechnik

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5.4 Schalteranwendungen des Bipolartransistors 343<br />

schaltete Transistoren dargestellt werden. Bei Eingangsspannungen U1 2V ist<br />

der Multi-Emitter-Transistor als Steuerkreis im inversen Betrieb, bei Eingangsspannungen<br />

U1 08V im Sättigungsbetrieb. Bild 5.4-11 zeigt einen TTL-Inverter<br />

mit Q1 als Steuerkreis und nachfolgendem Gegentaktschalter.<br />

+5V +5V +5V<br />

Bild 5.4-11: TTL-Inverter mit Steuerkreis und Gegentaktschalter<br />

Tabelle 5.4 - 1: TTL-Schaltung – Zustände der Transistoren<br />

U 1 Q 1 Q 3 Q 4 Q 5<br />

0V gesättigt gesperrt normal gesperrt<br />

> 2 V invers gesättigt gesperrt gesättigt<br />

Tabelle 5.4 - 2: TTL-Schaltung – Innere Ströme und Spannungen<br />

U1 I1 IB,Q3 U3 U2 0V – 1mA<br />

0<br />

0 36V <br />

> 2 V<br />

I 1<br />

U 1<br />

Q 1<br />

4k 1 6k 130<br />

IBQ1 ,<br />

U 3<br />

Q 3<br />

1k<br />

Die inverse Stromverstärkung BR vom Multi-Emitter-Transistor ist ca. 0,05. Damit<br />

ergibt sich bei U1 2V ein Eingangsstrom von ca. I1 40A . In diesem Fall ist<br />

der Sättigungsstrom von Q3: ICQ3 43V 16k26mA. Es verbleiben an<br />

Basisstrom für Q5 etwa 2mA, was ausreicht um den Transistor Q5 hinreichend zu<br />

übersteuern.<br />

D 1<br />

Steuerkreis Gegentaktschalter<br />

Q4 I2 BR 075mA 075mA <br />

14V 0<br />

Q 5<br />

U 2

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