Schaltungstechnik

340 5 Funktionsschaltungen mit Bipolartransistoren
u 1
Bild 5.4-5: Transistorschalter mit Basisableitwiderstand
Im konkreten Beispiel (Bild 5.4-5) ist der Übersteuerungsfaktor und der Ausräumfaktor
bei Ansteuerung mit u1 = U1,ein bzw. mit u1 = U1,aus = 0 gemäß Bild 5.4-4:
u ·· =
U1ein – UBE RK – UBB + UBE RB -------------------------------------------------------------------------------------------------;
ICu ·· B
(5.4-8)
a =
UBE RK + UBB + UBE RB -----------------------------------------------------------------------;
ICu ·· B
Durch eine negative Hilfsspannung U BB wird der Ausräumstrom erhöht und damit
die Speicherzeit t s verkürzt.
Im nachstehenden Experiment erfolgt die nähere Untersuchung des Schaltverhaltens
des Transistors. Bild 5.4-7 zeigt das Ergebnis der TR-Analyse.
Experiment 5.4-1: Querschalter1
1
R K
Bild 5.4-6: Testschaltung_1 für das Schaltverhalten des Bipolartransistors
i B
R B
i C
– UBB U B
R C
Q 1
2
u CE