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Schaltungstechnik

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328 5 Funktionsschaltungen mit Bipolartransistoren<br />

10M<br />

1,0M<br />

<br />

1,0k<br />

100<br />

100<br />

10<br />

26k 0+ 1<br />

0+ 1<br />

13 + 13k= 26k U2 <br />

U1 Z 11'<br />

gmQ1 R <br />

L 2 = 70<br />

1,0<br />

10Hz 1,0kHz 100kHz 10MHz<br />

Bild 5.3-40: Eingangswiderstand und Verstärkung der Darlingtonstufe<br />

Weitere Varianten der Darlingtonstufe sind zum Vergleich in Bild 5.3-41 dargestellt<br />

(idealisierte Ströme ohne Berücksichtigung von I 0 ). Ein Problem weist nämlich<br />

die Darlingtonstufe prinzipiell auf. Wenn der Ausgangstransistor Q1<br />

übersteuert wird, so steht kein signifikanter Ausräumstrom an der Basis von Q1 zur<br />

Verfügung. Damit ergibt sich eine hohe Speicherzeit (siehe Kap. 5.4). Zur Verbesserung<br />

ist in Bild 5.3-41b) eine Stromquelle I 0 an der Basis von Q1 eingefügt. Sie<br />

stellt keine Belastung für das AC-Verhalten dar. Allerdings wird durch diese Maßnahme<br />

der Arbeitspunkt von Q2 verändert. Q2 zieht einen um den Stromquellenstrom<br />

höheren Arbeitspunktstrom. Dies reduziert seinen differenziellen Widerstand<br />

r e,Q2 , was insbesondere den Eingangswiderstand beeinflusst und vermindert. Eine<br />

weitere Möglichkeit ist das Einfügen eines Ableitwiderstandes anstelle der Stromquelle,<br />

der aber AC-mäßig eine Belastung darstellt. In beiden Fällen führt diese<br />

Maßnahme dazu, dass der Transistor Q2 einen höheren Ruhestrom zieht. Die hälftige<br />

Aufteilung der Eingangsspannung (Bild 5.3-38) auf die Basis-Emitterstrecken<br />

von Q2 und Q1 ist nicht mehr gegeben. Der größere Teil der Eingangsspannung<br />

fällt am Steuerkreis von Q1 ab. Die Aussage, dass die Steilheit der Darlingtonstufe<br />

vom stromführenden Transistor Q1 bestimmt wird, ändert sich nicht.<br />

Die Variante der Darlingtonstufe in Bild 5.3-41b) ist insbesondere bei Leistungsverstärkern<br />

interessant. Mit dieser Variante lässt sich aus dem stromführenden<br />

npn-Leistungstransistor durch Vorschaltung eines weniger strombelasteten<br />

pnp-Transistors gemäß der Skizze, eine insgesamt als pnp-Leistungstransistor wirkende<br />

Anordnung erzeugen. In der Betrachtung der Ströme in Bild 5.3-41 wird für<br />

beide Transistoren gleiche Stromverstärkung angenommen. Real ist die Stromverstärkung<br />

aber abhängig vom Strom.

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