Schaltungstechnik

324 5 Funktionsschaltungen mit Bipolartransistoren
R B
Bild 5.3-34: Ausgangswiderstand bei rc ;
betrachtet wird der Einfluß von r0 Als Ergebnis der Betrachtung erhält man näherungsweise bei nicht zu stark wirkender
Gegenkopplung mit RE « 0+ 1
re (siehe auch Aschnitt 5.1.7):
ri r01 + gmRE; (5.3-18)
Die Seriengegenkopplung mit RE erhöht nur unter Einfluss des „Early-Widerstandes“
den Ausgangswiderstand auf etwa r01 + gmRE, wenn die Basis hinreichend
niederohmig abgeschlossen ist. Bei starker Gegenkopplung mit RE » 0+ 1
re nimmt der Innenwiderstand am Ausgang den Wert r01+ 0 an.
Das nachstehende Experiment untersucht den Innenwiderstand des Transistors
betrieben als Stromquelle, gemäß Testschaltung in Bild 5.3-35. Das Simulationsergebnis
mit den Abschätzwerten ist in Bild 5.3-36 dargestellt. Der hochohmige
Innenwiderstand der Stromquelle wird durch das Simulationsergebnis bestätigt. Im
betrachteten Beispiel beträgt der „Early-Widerstand“ etwa 40 k.
Experiment 5.3-8: Stromquelle
rc
gm Ux 0+ 1re
U x
Bild 5.3-35: Messschaltung zur Bestimmung des Innenwiderstandes der Stromquelle
U 2
I 2
R E
r 0