Schaltungstechnik

2.1 Methodik zur Elektroniksystementwicklung 23
Beispiele möglicher Gehäuseformen von diskreten Schaltkreiselementen sind in
nachstehendem Bild 2.1-12 dargestellt. Grundsätzlich unterscheidet man zwischen
der bedrahteten und der oberflächenmontierten Aufbautechnik (SMD: Surface
Mounted Devices). Je größer die Gehäuseform ist, um so günstiger kann die Wärmeableitung
vom aktiven Schaltkreiselement zur Umgebung gestaltet werden.
a) b)
Bild 2.1-12: Beispiele von Gehäuseformen (Packages); a) bedrahtete Aufbautechnik (TO92,
TO220, DIP16); b) oberflächenmontierte Aufbautechnik (SOT23, SOT323, SOT363); die
Darstellungen sind nicht maßstäblich
Die Bezeichnung „Schaltkreisfunktion“ stellt einen unscharfen Überbegriff dar.
Einem geeignet beschalteten integrierten Operationsverstärker kann beispielsweise
eine Schaltkreisfunktion zugeordnet werden. Im Prinzip lässt sich allgemein eine
Funktion in jeder Hierarchiestufe durch ein Symbol repräsentieren. Dem Operationsverstärker
selbst ist ein Symbol bzw. ein Gehäuse zugeordnet. Vielfach können
mehrere Schaltkreisfunktionen in einem Gehäuse untergebracht sein. Die Abbildung
von Schaltkreisfunktionen – repräsentiert durch Symbole – in ein bestimmtes
Gehäuse beschreibt das „Mapping“. Das „Mapping“ definiert also die Abbildung
der Symbole und deren Schnittstellen in ein Gehäuse auf die Schnittstelle des
Gehäuses (Bild 2.1-13). Dabei wird auch die Vertauschbarkeit von Symbolen und
von Symbolpins festgelegt. Die Vertauschbarkeit von Symbolen und von Symbolpins
erleichtert oft die Erstellung des geometrischen Layouts, um Überkreuzungen
von Signalleitungen zu vermeiden.
VCC
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VEE
Bild 2.1-13: Mapping: Zuordnung der Symbole von Schaltkreisfunktionen auf ein Dual-
Inline-Package mit Anschlussbezeichner (TLE2084 Operational Amplifier)
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