Schaltungstechnik

318 5 Funktionsschaltungen mit Bipolartransistoren
1,0
100m
1,0M
10k
U2 U1 0+ 1
1k 180k
Z11' 0+ 1
113 + 500 20k
100
10Hz 1,0kHz 100kHz 10MHz
Bild 5.3-25: Verstärkungsfrequenzgang und Eingangswiderstand des Emitterfolgers
Der Innenwiderstand am Ausgang des Emitterfolgers ist in Bild 5.3-26 dargestellt.
Es zeigt sich insbesondere bei mittleren Frequenzen ein sehr niederohmiges
Verhalten. Im unteren Frequenzbereich geht die Wirkung der Abblockkapazität am
Basisanschluss verloren, der Innenwiderstand wird hochohmiger. Im oberen Frequenzbereich
schließt die Diffusionskapazität Cb’e die Emitter-Basis Diode kurz.
Die Transformationswirkung des Bahnwiderstandes rb/( + 1) geht verloren. Es
verbleibt dann nur noch der Bahnwiderstand rb. 1,0k
300
100
30
Z 22'
rb+ R
1 R
2 RG re + ---------------------------------------------- 16
0+ 1
10
10Hz 1,0kHz 100kHz 10MHz
Bild 5.3-26: Ausgangswiderstand des Emitterfolgers