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Schaltungstechnik

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316 5 Funktionsschaltungen mit Bipolartransistoren<br />

5.3.3 Emitterfolger<br />

Emitterfolger wirken als Impedanztransformator bzw. als „Leistungsverstärker“<br />

mit Spannungsverstärkung in der Größenordnung von 1. Beim Emitterfolger wird<br />

das Signal U1 an der Basis von Q1 im vorgegebenen Arbeitspunkt eingekoppelt.<br />

Die Auskopplung des Ausgangssignals U2 erfolgt am Emitter.<br />

1<br />

C 1<br />

U 1<br />

R 1<br />

10V<br />

Q 1<br />

R 2 RE<br />

CE 2<br />

Bild 5.3-22: Kollektorgrundschaltung – Emitter-Folger<br />

Auch hier ändert sich betreffs der DC-Analyse nichts gegenüber der Schaltung in<br />

Bild 5.3-1. Das Ergebnis der DC-Analyse kann vom ersten Abschnitt übernommen<br />

werden.<br />

AC-Analyse bei mittleren Frequenzen: Im mittleren Frequenzbereich stellen<br />

die Koppelkapazitäten C1 und C2 wiederum einen Kurzschluss dar. Mit der Näherung<br />

1 C1 « R <br />

1 R <br />

2 rb+ 0+ 1re+<br />

R <br />

E RL, sowie 1 C2 « RL erhält man folgende Abschätzergebnisse für die Spannungsverstärkung, für den<br />

Eingangswiderstand und für den Innenwiderstand am Ausgang.<br />

U2 0+ 1R<br />

E RL ------ = ----------------------------------------------------------------- 1;<br />

U1 rb + 0+ 1re+<br />

R <br />

E RL rb Z11' = rb + 0+ 1re+<br />

R <br />

E RL; Z22' re + -------------------;<br />

0+ 1<br />

Mit Berücksichtigung des in Bild 5.3-22 nicht skizzierten Innenwiderstandes R G<br />

der steuernden Quelle bestimmt sich der Innenwiderstand am Ausgang wie folgt:<br />

Z 22'<br />

rb+ R <br />

1 R <br />

2 RG = re + ---------------------------------------------- ;<br />

0+ 1<br />

Ohne Berücksichtigung des „Early“-Widerstandes r 0 liegt dem Emitterfolger die in<br />

Bild 5.3-23 skizzierte Ersatzanordnung zugrunde. Deutlich zeigt sich dabei die<br />

Hochohmigkeit des Eingangskreises (vergl. Bild 5.3-25 unten).<br />

R L<br />

U 2<br />

(5.3-10)<br />

(5.3-11)

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