Schaltungstechnik

312 5 Funktionsschaltungen mit Bipolartransistoren
stand. Ein Quellwiderstand RG wirkt hinsichtlich des Innenwiderstandes am Ausgang
auch in Basisschaltung als „Seriengegenkopplung“ (siehe seriengegengekoppelter
Transistor). Bei niederohmiger „innerer“ Basis (rb klein) und zusätzlich
durch „Seriengegenkopplung“ am Emitter mit einem Quellwiderstand RG der
Signalquelle ( rb 0+ 1
niederohmig gegenüber r
e 1 jCb'e+ RG) wird der
Frequenzgang des Innenwiderstandes am Ausgang breitbandiger hochohmig. Ist
der Basisbahnwiderstand rb hinreichend niederohmig, wie im Originalmodell des
Transistors Q2N2222 gegeben, so ergibt sich eine signifikant höhere Bandbreite
des Verstärkungsfrequenzgangs. Bild 5.3-17 zeigt den Verstärkungsfrequenzgang
der Basisschaltung bei niederohmigem Bahnwiderstand (rb = 10) und mit der
Sperrschichtkapazität CJC als Parameter. In Bild 5.3-18 ist der Verstärkungsfrequenzgang
dargestellt mit dem Bahnwiderstand rb als Parameter.
r b
Bild 5.3-15: AC-Analyse bei höheren Frequenzen – Basisgrundschaltung
Experiment 5.3-3: Basis1sch
gm Ux R U
L 2
2
Cb'e re 1
Bild 5.3-16: Messschaltung für Ansteuerung an Emitter – Basisschaltung
U x
C c
R E U 1
R G
U 0