Schaltungstechnik

310 5 Funktionsschaltungen mit Bipolartransistoren
Zusammenfassung: Bei Ansteuerung an der Basis ergibt sich im mittleren Frequenzbereich
ein „mittel“-hochohmiger Eingangswiderstand mit 0+ 1
re + rb. Die innere Verstärkung beträgt etwa gm R
L . Der Transistor arbeitet am Ausgang
als spannungsgesteuerte Stromquelle. Der Innenwiderstand der Stromquelle am
Ausgang des Transistors ist näherungsweise durch den „Early-Widerstand“ r0 gegeben, wenn die steuernde Quelle hinreichend niederohmig ist. Bei höheren Frequenzen
vermindert sich die Verstärkung im wesentlichen aufgrund des Einflusses
der Sperrschichtkapazität Cc . Sie macht sich um so mehr bemerkar, je hochohmiger
der Bahnwiderstand rb ist.
5.3.2 RC-Verstärker in Basisgrundschaltung
Eingehend behandelt werden Verstärkerelemente in Basisgrundschaltung (Bild
5.3-13) und deren Unterschiede zur Emittergrundschaltung (Bild 5.3-1). Die
Ansteuerung des RC-Verstärkers erfolgt im Arbeitspunkt am Emitter von Q1 mit
U . Das Ausgangssignal U
1
2 wird am Kollektor abgenommen.
R 1
C 3
R 2
10V
Bild 5.3-13: RC-Verstärker mit Ansteuerung am Emitter: Basisgrundschaltung
R C
Q 1
Für die DC-Analyse hat sich gegenüber dem Beispiel in Bild 5.3-1 nichts geändert.
Es gelten dieselben Überlegungen wie im vorhergehenden Abschnitt.
AC-Analyse bei mittleren Frequenzen: Bei mittleren Frequenzen stellen wiederum
die Koppelkapazitäten und Abblockkapazitäten einen Kurzschluss dar. Im
Betriebsfrequenzbereich mit 1 C3 « R
1 R2 und 1 C1 « Zx erhält man
das AC-Ersatzschaltbild in Bild 5.3-14.
Bezüglich der Verstärkung und des Eingangswiderstands ergeben sich für die
Basisgrundschaltung die nachstehenden Abschätzungen. Grundsätzlich ist näherungsweise:
U1 Ie re + Ib rb = Ie re+ rb 0+ 1;
(5.3-7)
Damit wirkt der Basisbahnwiderstand umgerechnet auf den Eingang mit
rb 0+ 1.
Wegen des hohen Eingangsstroms Ie muss der Wert des Basisbahnwiderstands
um 1
0+ 1
reduziert werden, um dieselbe Spannung am Bahnwi-
R E
C 2
C 1
1
2
U 1
R L
U 2