Schaltungstechnik

306 5 Funktionsschaltungen mit Bipolartransistoren
Kapazität, sie beträgt etwa 4pF 1+ vinnen 550pF.
Die innere Verstärkung ist
etwa vinnen gmR
L 140 . Mit der Diffusionskapazität ergibt sich eine Gesamtkapazität
von ca. 600pF, wirksam an der inneren Basis gegen das Bezugspotenzial.
NAME Q_Q1
MODEL Q2N2222-X
IB 1.16E-05
IC 1.91E-03
VBE 6.67E-01
VBC -4.41E+00
VCE 5.08E+00
BETADC 1.65E+02
GM 7.33E-02
RPI 2.46E+03
RX 5.00E+02
RO 4.11E+04
CBE 6.69E-11
CBC 3.78E-12
CJS 0.00E+00
BETAAC 1.80E+02
CBX 0.00E+00
FT 1.65E+08
Bild 5.3-6: Schematic des Simulationsbeispiels mit Modellparametersatz aus *.out von
PSpice gültig für den gegebenen Arbeitspunkt
200
100
10
Gm R
L = 18
1,0
U2
U1 1 16F 1k
gm R
L 08 = 110
1 600pF 500
200m
10Hz 1,0kHz 100kHz 10MHz
Bild 5.3-7: Spannungsverstärkung der Emittergrundschaltung mit Abschätzwerten
Als nächstes wird die Wirkung der Sperrschichtkapazität C c genauer betrachtet.
Verändert man den, die Sperrschichtkapazität charakterisierenden Parameter CJC
im Transistormodell, so verändert sich die obere Eckfrequenz (Bild 5.3-8). Das
Experiment zeigt, dass die Bandbreite eines Verstärkerelementes ganz wesentlich
durch die Sperrschichtkapazität der Kollektor-Basis Diode bestimmt wird.