Schaltungstechnik

304 5 Funktionsschaltungen mit Bipolartransistoren
den Eingangswiderstand nach Bild 5.3-3 mit den dort angegebenen Parametern folgende
Abschätzung vornehmen:
U2 ------ g
U m R 18k = L = ---------------- = 140;
x
13
U U
2 2
------ ------
U U
1 x
Ux = ------ 110;
U1 Z11' = R
1 R
2 rb+ 0+ 1re
2k;
Ux 0+ 1re
2k
------ = ----------------------------------- = ---------------- = 08;
U1 rb + 0+ 1re25k
AC-Analyse im unteren Frequenzbereich: Bei tiefen Frequenzen geht die
Wirkung der Abblockkapazität CE verloren. Der Bipolartransistor ist seriengegengekoppelt.
Wenn 1 CE» RE ist, so wirkt RE als Seriengegenkopplung. Ohne
Berücksichtigung des „Early“-Widerstandes r0 erhält man das in Bild 5.3-4 skizzierte
Ersatzschaltbild.
U 1
R
1 R2 r b
U x
0+ 1re
Gm Ux Bild 5.3-4: AC-Analyse im unteren Frequenzbereich (Q: seriengegengekoppelt)
(5.3-2)
Mit der vereinfachenden Annahme von rc und r0 ergibt sich aus der
Ersatzanordnung in Bild 5.3-4 folgende Abschätzung:
U2 ------
Ux = Gm R ; L
Gm =
0 ----------------re
+ RE = ----------
1
;
1k
U2 1800
------ = ---------------- = 18; ,
Ux 1000
Aufgrund der Seriengegenkopplung ist die Verstärkung deutlich vermindert, bei
erhöhtem Eingangswiderstand.
R L
r c
0+ 1RE
Z11' = R
1 R
2 rb+ 0+ 1re+
RE10k; U 2
(5.3-3)