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Schaltungstechnik

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288 5 Funktionsschaltungen mit Bipolartransistoren<br />

Bild 5.2-2: Temperaturabhängigkeit von U BE (Auszug aus einem Datenblatt)<br />

a)<br />

A IC I B<br />

A R<br />

I B<br />

Q C<br />

1 Q1<br />

A UCE = B IB+ B + 1<br />

ICB0 ;<br />

b) U B<br />

Bild 5.2-3: Arbeitspunkteinstellung mit eingeprägtem Basisstrom: a) Stromquelle im Basispfad;<br />

b) Ersatzstromquelle, Voraussetzung ist eine ausreichend große Spannung U B an R B<br />

Als erstes soll die Variante mit eingeprägtem Basisstrom betrachtet werden. Bild<br />

5.2-3 zeigt das Prinzip dieser Schaltungsvariante und ein mögliches Realisierungsbeispiel.<br />

Diese Variante ist dadurch gekennzeichnet, dass die Streuung der Stromverstärkung<br />

und deren Temperaturabhängigkeit voll eingeht und darüber hinaus der<br />

sehr von Exemplarstreuungen und von sehr starker Temperaturabhängigkeit<br />

gekennzeichnete Sperrstrom I CB0 mit B+1 multipliziert sich auswirkt. Diese Variante<br />

weist hinsichtlich der Arbeitspunktstabilität gegenüber den weiteren Varianten<br />

(z.B. mit eingeprägtem Emitterstrom) erhebliche Nachteile auf.<br />

I B<br />

R C<br />

UB – 07V = -------------------------;<br />

RB

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