Schaltungstechnik

5.1 Eigenschaften und Kennlinien von Bip.-Transistoren 285
Zusammenfassung: Die Seriengegenkopplung erhöht den Innenwiderstand r0 am Ausgang auf etwa den Wert r0 1 + gmRE (vergl. hierzu die Ergebnisse für
den Ausgangswiderstand in Abschnitt 4.2.4). Bei hinreichend kleinem RB und
0+ 1
re « RE würde der Innenwiderstand am Ausgang maximal den Wert
r0 1+ 0 annehmen. Ein möglicher Sperrwiderstand rc ist um so weniger
wirksam, je niederohmiger der Eingangskreis an der Basis beschaltet wird.
5.1.8 Parallelgegengekoppelter Transistor
Wie schon in Kap. 4.2 festgestellt, macht die Parallelgegenkopplung den Eingang
niederohmig. Prägt eine Eingangssignalquelle einen Strom in den Rückkopplungswiderstand
R F ein, so ergibt sich als Ausgangsspannung das Produkt aus Eingangsstrom
multipliziert mit dem Rückkopplungswiderstand. Die Parallelgegenkopplung
eines Verstärkers wurde im Abschnit 4.2.5 und 4.2.6 eingehend behandelt.
Die Ergebnisse des parallelgegengekoppelten Linearverstärkers können
ebenso wie die für die Seriengegenkopplung übernommen werden. Es bedarf lediglich
der Anpassung an die Gegebenheiten des Bipolartransistors.
Bild 5.1-30: Der parallelgegengekoppelte Transistor
U 0
RF ----------------
1 + v21 R 1
1
IF rb Bild 5.1-31: AC-Ersatzschaltbild des parallelgegengekoppelten Transistors
U 1
R F
R F
Als nächstes wird das AC-Verhalten im Arbeitspunkt des Transistors bei Normalbetrieb
untersucht (Bild 5.1-31). Am Verstärkerelement wird unterschieden zwi-
Q 1
RF -----------------------
1 + 1 v21 U x
C c
R L
2
0+ 1r
e
U 2
g m U x