Schaltungstechnik

284 5 Funktionsschaltungen mit Bipolartransistoren
Der Ausgangswiderstand aufgrund von r c ist bei genügend niederohmiger Eingangsbeschaltung
gleich r c ; bei hochohmiger Eingangsbeschaltung liegt der Grenzwert
bei r c /( 0 +1). Man beachte, dass bei Frequenzen ab einigen 100kHz der
Sperrwiderstand r c durch 1/jC c zu ersetzen ist. Ein hochohmiger Ausgangswiderstand
ist nur mit hinreichend niederohmiger Eingangsbeschaltung zu erreichen.
rc
R B
0+ 1r
e
Bild 5.1-29: Ausgangswiderstand bei rc
g m U x
Als nächstes wird der Innenwiderstand am Ausgang bestimmt unter der Annahme,
dass der Sperrwiderstand rc der Kollektor-Basis Diode vernachlässigbar sei, wohl
aber der Early-Widerstand r0 berücksichtigt wird. Zunächst gilt:
0+ 1re
I2R
E 0+ 1re+
RB------------------------------------- = U
RB + 0+ 1r
x ;
e
U
2
– I
2
R
E 0+ 1re+
RB 0+ 1re
I
2
= ---------------------------------------------------------------------------- – g
r m
I
2
R
E
0
+ 1r
e
+ R
B
--------------------------------------;
R
0
B + 0+ 1re
I2 1 RE0+ 1re+
RB 1
0
U2 +
---- + -------------------------------------
= ------ ;
r0RB+ 0+ 1re
r0 U2 ------
I2 r0 1 + RE0+
1re+
RB Damit wird:
1
=
1
---- + ------------------------------------- ;
r0RB0+ re
0
U2 ------ r
I 0 1
2
R
E 0+ 1re+
RB + -------------------------------------------------------- ;
RB 0 + re
0
mit
R r
B e
r0 » ------ + -----;
0 0
U x
U2 0+ 1
re + RB ------
r
I 0 1 + gmR -----------------------------------------------------
E
;
2
1 + RB0+ 1
re I 2
U 2
R E
r 0
(5.1-15)
(5.1-16)