Schaltungstechnik

282 5 Funktionsschaltungen mit Bipolartransistoren
Die spannungsabhängigen Sperrschichtkapazitäten C jC und C jE stehen für das
kapazitive Verhalten eines gesperrten pn-Übergangs.
5.1.7 Seriengegengekoppelter Transistor
Der seriengegengekoppelte Transistor kann als „neuer“ Transistor mit veränderten
Eigenschaften angesehen werden. Die Seriengegenkopplung macht den Eingang
hochohmiger, verringert die Steilheit und erhöht den Innenwiderstand der Ausgangsstromquelle.
Die Übertragungskennlinie des Transistors wird durch die Seriengegenkopplung
„geschert“. Die Steilheit verringert sich demnach auf ca. 1/RSgk ,
wobei im Beispiel (Bild 5.1-26) RSgk = RE ist. Das Ausgangskennlinienfeld bleibt
bezüglich UCE unverändert. Am Kollektorausgang wirkt nach wie vor eine gesteuerte
Stromquelle. Der Innenwiderstand am Ausgang des Transistors wird durch die
Seriengegenkopplung hochohmiger. Dieser Sachverhalt wurde auch schon in
Abschnitt 4.2.4 hergeleitet. Der Eingangswiderstand des seriengegengekoppelten
Transistors ist:
ZBX = 0+ 1
re+ RE; die Steilheit:
G m
0 1
= ----------------- ---------- ;
re + RE RSgk (5.1-12)
(5.1-13)
Bild 5.1-26 zeigt den seriengegengekoppelten Transistor mit seiner gescherten
Übertragungungskennlinie und als Folge davon die geringere Steilheit.
B
Q 1
U BE
U BX RE
X
I C
0
U BE
Bild 5.1-26: Seriengegengekoppelter Transistor: Q1 mit RE als Seriengegenkopplung bilden
einen „neuen“ Transistor mit „gescherter“ Übertragungskennlinie
Als Ergebnis dieser Überlegungen erhält man für den „neuen“ Transistor das in
Bild 5.1-27 skizzierte Modell. Die Injektionsstromquelle kann zum Anschluss X
„heruntergezogen“ werden, wenn die Steilheit von g m auf G m korrigiert wird und
zusätzlich der Seriengegenkopplungswiderstand, wie angegeben mit der Stromverstärkung
multipliziert wird.
Q 1
I E R E
Q 1 mit R E
U BX