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Schaltungstechnik

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276 5 Funktionsschaltungen mit Bipolartransistoren<br />

Näherungsweise gilt für die Frequenzabhängigkeit der Stromverstärkung mit fT als<br />

Transitfrequenz (Angabe im Datenblatt):<br />

1<br />

1<br />

= 0------------------------ ; = (5.1-4)<br />

1 + j f f 0 ------------------------------------------------------;<br />

T<br />

1 + j f fT 0+<br />

1<br />

Die eingeführten Modellvarianten sind für die Schaltungsanalyse und die Dimensionierung<br />

von Schaltungen mit Bipolartransistoren unverzichtbar. Bei geeigneter<br />

Wahl einer Modellvariante lassen sich ohne große Zwischenrechnungen Eigenschaften<br />

von Schaltungen direkt ablesen.<br />

R <br />

G : wirksamer Generatorwiderstand<br />

R <br />

L : wirksamer Lastwiderstand<br />

1<br />

I 1<br />

U 1<br />

R G <br />

U be<br />

I b<br />

r b<br />

U b'e<br />

Bild 5.1-23: AC-Ersatzschaltbild einer Verstärkerstufe angesteuert an Basis, Ausgang am<br />

Kollektor; bei unteren bis mittleren Frequenzen ist U2 Ub'e gm R L r <br />

0 rc Abschätzanalyse am Beispiel von Bild 5.1-23: Gegeben sei eine Verstärkerschaltung<br />

mit Ansteuerung an der Basis. Die Schaltung sei abgeschlossen mit<br />

einem wirksamen Lastwiderstand RL* am Kollektorausgang. Das Verstärkerelement<br />

wird im Arbeitspunkt im Normalbetrieb betrieben. Damit ergibt sich das AC-<br />

Ersatzschaltbild dargestellt in Bild 5.1-23. Am Knoten 2 wirkt als Lastimpedanz:<br />

Z (5.1-5)<br />

L = R <br />

L r <br />

0 r <br />

c 1 jCc; Der Early-Widerstand r0 liegt in der Größenordnung von einigen 10k, der Sperrwiderstand<br />

rc ist wesentlich hochohmiger, er wird meist vernachlässigt. Für die<br />

innere Verstärkung von der inneren Basis B´ nach Knoten 2 erhält man:<br />

v (5.1-6)<br />

u innen = U2 Ub'e = gm ZL ;<br />

Bei Vernachlässigung von rc wirkt am Knoten B´ die Sperrschichtkapazität unter<br />

Anwendung der Transimpedanzbeziehung (siehe Abschnitt 4.2.5) mit:<br />

Cc innen =<br />

Cc 1 + gmZL; (5.1-7)<br />

welche das Frequenzverhalten maßgeblich beeinflusst. Zusammen mit dem Bahnwiderstand<br />

rb und dem Generatorwiderstand RG* bildet die transformierte Rückwirkungskapazität<br />

Cc,innen am inneren Basisanschluss B’ ein Tiefpasselement.<br />

Ohne aufwendige rechnerische Analyse lassen sich aus dem geeigneten Ersatzschaltbild<br />

wesentliche Eigenschaften des Verstärkerelementes ablesen.<br />

C c<br />

B'<br />

C b<br />

r e *<br />

r c<br />

I e<br />

I c<br />

gm Ub'e 2<br />

R L <br />

U 2<br />

r 0<br />

r <br />

e = re 0+ 1

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