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Schaltungstechnik

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5.1 Eigenschaften und Kennlinien von Bip.-Transistoren 275<br />

Neben dem bereits in Bild 5.1-13 vorgestellten AC-Modell sind bei der Schaltungsanalyse<br />

weitere Modellvarianten für die Abschätzanalyse oft sehr zweckmäßig<br />

und hilfreich. Grundsätzlich kann der Bipolartransistor mit einer äußeren<br />

Stromquelle am Emitter, mit einer äußeren Stromquelle an der Basis oder mit einer<br />

äußeren Spannung zwischen Basis und Emitter angesteuert werden. Daraus ergeben<br />

sich weitere gleichberechtigte Modellvarianten (siehe Bild 5.1-21). Die Variante<br />

in Bild 5.1-21a) ergibt sich direkt aus Bild 5.1-2 bei Linearisierung der<br />

Emitter-Basis Diode im Arbeitspunkt. Die linearisierte Emitter-Basis Diode im<br />

Arbeitspunkt wird durch re repräsentiert. Bei Einführung eines Sperrwiderstandes<br />

für die gesperrte Kollektor-Basis Diode im Normalbetrieb erhält man den hochohmigen<br />

Sperrwiderstand rc . Der eigentliche Transistoreffekt wird nachgebildet<br />

durch den Injektionsstrom 0 I .<br />

e<br />

Ersetzt man den Strom Ie der Injektionsstromquelle durch Ib , so erhält man die<br />

Variante nach Bild 5.1-21b). Die gesteuerte Stromquelle ist jetzt durch 0 I cha-<br />

b<br />

rakterisiert. Der Sperrwiderstand der Kollektor-Basis Diode muss dann auf<br />

rc 0+ 1<br />

korrigiert werden. Im Weiteren ist es naheliegend, die den Transistoreffekt<br />

beschreibende Stromquelle 0 I mit über die Steilheit<br />

e 0 Ie = gm Ub'e durch die Änderung der Spannung an der Emitter-Basis Diode zu ersetzen (Variante<br />

Bild 5.1-21c). Lässt man diese Stromquelle nicht vom Kollektor zur inneren<br />

Basis, sondern zum Emitter wirken, so ist der differenzielle Widerstand re durch<br />

re 0+ 1<br />

zu ersetzen, da dann der Hauptstromfluss nicht mehr über re fließt.<br />

Am häufigsten verwendet wird Variante c); Variante d) ist interessant bei Spannungssteuerung<br />

des Emittereingangs (z.B. Basisschaltung). Die AC-Modelle sind<br />

für npn- und pnp-Transistoren gleich. Hinsichtlich der Änderungen im Arbeitspunkt<br />

weisen die Bipolartransistoren gleiches Verhalten auf. Bei Frequenzen oberhalb<br />

ca. 1MHz ist rc zu ersetzen durch die Sperrschichtkapazität Cc. Zum<br />

differenziellen Widerstand re schaltet sich parallel die Diffusionskapazität Cb (siehe Bild 5.1-22).<br />

a) I<br />

Ic b)<br />

e<br />

C<br />

B<br />

I b<br />

U be<br />

r b<br />

C b<br />

r e<br />

C c<br />

I e<br />

I e<br />

r 0<br />

E<br />

U be<br />

Bild 5.1-22: Modellvarianten für AC-Analyse bei Frequenzen oberhalb ca. 1MHz<br />

B<br />

I b<br />

r b<br />

C c<br />

r e *<br />

Cb r <br />

e<br />

=<br />

r<br />

e<br />

0<br />

+ 1<br />

r c<br />

I c<br />

I e<br />

gm Ub'e C<br />

E<br />

r 0

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