Schaltungstechnik

5.1 Eigenschaften und Kennlinien von Bip.-Transistoren 273
Bild 5.1-19: Testschaltung zur Bestimmung der Ausgangskennlinien mit I B als Parameter
In dieser Darstellung der Ausgangskennlinien zeigt sich der bereits erläuterte
Early-Effekt. Bei größerer Sperrspannung der Kollektor-Basis Diode verringert
sich die effektive Basisweite aufgrund der breiter werdenden Raumladungszone.
Als Folge davon steigt die Stromverstärkung B. Das heißt bei konstantem Basisstrom
ergibt sich mit zunehmender Sperrspannung U CE ein größerer Kollektorstrom.
Die Ausgangskennlinien sind nach oben geneigt.
40mA
I C
30mA
20mA
10mA
0A
-10mA
-1V 1V 3V 5V 7V 9V UCE Bild 5.1-20: Ausgangskennlinien mit I B als Parameter
Bei negativem U CE ist die Kollektor-Basis Diode leitend und die Emitter-Basis
Diode gesperrt, der Transistor arbeitet im Inversbetrieb. Die Stromverstärkung im
Inversbetrieb ist wegen der ungünstigeren geometrischen Verhältnisse wesentlich
kleiner. Das Kennlinienbild zeigt im Beispiel aber deutlich die Auffächerung bei
inversem Betrieb.
I C
=
fU CE
Parameter:IB