Schaltungstechnik

5.1 Eigenschaften und Kennlinien von Bip.-Transistoren 271
Bild 5.1-16: Sättigungsspannung U CE,sat
Sperrbetrieb: Beide Diodenstrecken sind gesperrt und damit hochohmig. Es
gilt das in Abschnitt 2.2.3 dargestellte Sperrverhalten für beide gesperrten pn-
Übergänge.
Inverser Betrieb: Der Emitter wird zum Kollektor und umgekehrt. Wegen der
ungünstigeren Geometrieverhältnisse ergibt sich eine sehr viel kleinere inverse
Stromverstärkung BR. Der Inversbetrieb stellt sich ein, wenn Emitter und Kollektor
vertauscht werden.
5.1.3 DC-Modellvarianten
Für die DC-Analyse benötigt man ein dafür geeignetes vereinfachtes Modell, um
das Schaltungsverhalten abschätzen zu können. Dies gilt insbesondere für die
Bestimmung des Arbeitspunktes von Transistoren. Das DC-Modell wurde bereits
in Bild 5.1-2 vorgestellt. Es sollen nun daraus abgeleitete Modellvarianten eingeführt
werden. Mit
I (5.1-3)
E = IC + IB; lässt sich ein neues Modell ableiten dessen Ausgangsstromquelle von IB gesteuert
wird. Gleichzeitig ergibt sich, dass dann der Sperrstrom ICB0 mit B+1 multipliziert
eingeht. Das heißt, wenn die Basis mit einer äußeren Stromquelle angesteuert wird,
geht der Sperrstrom am Ausgang mit B + 1
ICB0 wesentlich stärker ein. Diese
Eigenschaft hat erhebliche Konsequenzen zum Beispiel für die Arbeitspunktstabilität.