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Schaltungstechnik

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270 5 Funktionsschaltungen mit Bipolartransistoren<br />

Tabelle 5.1 - 2: Parameter AC-Modell<br />

Name typ. Wert Bedeutung<br />

Cbe Cbe = Cb + Cje C jc<br />

T<br />

C jc<br />

Cjc0 = -----------------------------------<br />

1 – Ucb' Vjc T 1 T Cb+ Cje + Cjc T --------------------------------------gm<br />

Gesamtkapazität zwischen<br />

B´und E; C je ist vernachlässigbar<br />

Sperrschichtkapazität zwischen<br />

B´und C; sie beträgt<br />

einige pF<br />

Zusammenhang der Transitfrequenz<br />

mit den Kapazitätsangaben<br />

PSpice-<br />

Parameter<br />

CJC,<br />

VJC, MJC<br />

Soll der Bipolartransistor als Verstärkerelement verwendet werden, so muss der<br />

Arbeitspunkt so gewählt werden, dass Normalbetrieb vorliegt. Das in Bild 5.1-13<br />

angegebene Kleinsignalmodell gilt nur im Normalbetrieb. Darüber hinaus gibt es<br />

insgesamt vier Betriebsarten.<br />

Sperrbetrieb:<br />

EB Diode gesperrt<br />

CB Diode gesperrt<br />

Inverser Betrieb:<br />

EB Diode gesperrt<br />

CB Diode leitend<br />

U CB<br />

0<br />

Normalbetrieb:<br />

EB Diode leitend<br />

CB Diode gesperrt<br />

UBE Sättigungsbetrieb:<br />

EB Diode leitend<br />

CB Diode leitend<br />

Bild 5.1-15: Betriebsarten des Bipolartransistors entsprechend der gegebenen Vorspannung<br />

Sättigungsbetrieb: Im Sättigungsbetrieb sind beide Dioden leitend, der Transistor<br />

wird am Kollektorausgang sehr niederohmig (typisch einige mit induktiver<br />

Komponente). Das Verhalten als gesteuerte Stromquelle geht verloren. Die Stromverstärkung<br />

B geht dramatisch zurück. Die Sättigungsspannung U CE,sat beträgt<br />

typisch 0,1V. Um den Sättigungsbetrieb zu vermeiden, sollte U CE > 0,5V sein.

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