Schaltungstechnik

268 5 Funktionsschaltungen mit Bipolartransistoren
renden Umrechnung der Transistoreffekt-Stromquelle ( gm Ux von C’ nach E’
wirkend) erhält man für Kleinsignalanwendungen (Änderungen im Arbeitspunkt)
eines BJT im Normalbetrieb das in Bild 5.1-13 skizzierte Kleinsignalmodell.
B
r b B
0+ 1re
E
r ex
C be
Bild 5.1-13: Kleinsignalmodell eines Bipolartransistors im Normalbetrieb
U x
r c
C c
g m U x
Substratkapazität: Aufgrund der in Bild 5.1-10 skizzierten Maßnahmen zur
Trennung von Transistorelementen in planarer Aufbauweise ergibt sich eine Substratkapazität
CCS , die den Kollektorausgang belastet.
Sperrschichtkapazität und Diffusionskapazität: Die Sperrschichtkapazität
CjC bzw. Cc der gesperrten Kollektor-Basis-Diode ist neben der Diffusionskapazität
der Emitter-Basis Diode Cb’e (siehe Abschnitt 2.2.3) für das Frequenzverhalten
ausschlaggebend. Die Sperrschichtkapazität ist abhängig von der Sperrspannung
an der gesperrten Diodenstrecke. Bild 5.1-14 zeigt in einem Datenblattauszug typische
Werte für die Sperrschichtkapazität. Die Diffusionskapazität eines in Flussrichtung
betriebenen pn-Übergangs beschreibt die Trägheit der Ladungsträger bei
einer Spannungsänderung, sie hängt ab vom Flussstrom im Arbeitspunkt.
Bild 5.1-14: Sperrschichtkapazität C c einer gesperrten Diodenstrecke (Datenblattauszug)
r 0
C
r cx
C cs
UCB UEB C