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Schaltungstechnik

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5.1 Eigenschaften und Kennlinien von Bip.-Transistoren 267<br />

dert die effektive Basisweite. Damit „verbessert“ sich der Transistoreffekt, es<br />

erhöht sich die Stromverstärkung. Charakterisiert wird der Early-Effekt durch die<br />

Early-Spannung V A . Bei konstantem Basisstrom erhöht sich mit zunehmender<br />

Sperrspannung U CE damit der Kollektorstrom. Die Auswirkungen des Early-<br />

Effekts auf das Ausgangskennlinienfeld zeigt Bild 5.1-12. Darüber hinaus vermindert<br />

der Early-Effekt den Innenwiderstand der am Kollektorausgang wirksamen<br />

Stromquelle (siehe r 0 im Kleinsignalmodell in Bild 5.1-13).<br />

V A<br />

I C<br />

0<br />

I B = const<br />

Einfluß des Bahnwiderstands r cx<br />

Bild 5.1-12: Early-Effekt und seine Auswirkungen auf das Ausgangskennlinienfeld<br />

Erläuterung des Kleinsignalmodells im Normalbetrieb: Der Emitterstrom ist<br />

gleich dem Strom der in Flussrichtung betriebenen Emitter-Basis Diode<br />

( IE IS expUBEUT).<br />

Das Verhalten der Diode wurde in Abschnitt 2.2.3 dargestellt.<br />

Es gelten die dort eingeführten Modellbeschreibungen für einen pn-Übergang.<br />

Aufgrund des Transistoreffekts ist der Kollektorstrom annähernd gleich dem<br />

Emitterstrom ( IC IE ). Bei Kleinsignalansteuerung lässt sich im Arbeitspunkt<br />

eine Linearisierung des exponentiell verlaufenden Diodenstroms in Form einer<br />

Reihenentwicklung vornehmen. Die Signalamplitude am Eingang des Transistors<br />

sollte für die Gültigkeit der Linearisierung dabei nicht größer als einige 10mV sein.<br />

Bei einer typischen Spannungsverstärkung von ca. 200 entstehen dabei Ausgangsspannungsänderungen<br />

von einigen Volt Amplitude. Insofern widerspricht diese<br />

Einschränkung praktischen Aufgabenstellungen nicht. Es gilt näherungsweise:<br />

U<br />

IC I BE<br />

----------- A S exp = I<br />

U C + gmU BE ;<br />

(5.1-1)<br />

T<br />

Dabei ist gm die Steilheit im Arbeitspunkt. Sie bestimmt sich mit UT als Temperaturspannung<br />

(bei Normaltemperatur ist: UT = 26mV) aus:<br />

A IC 0 g (5.1-2)<br />

m = -------- = ----- ;<br />

UT re Werden nur die Änderungsgrößen im Arbeitspunkt betrachtet, so lässt sich die in<br />

Flussrichtung betriebene Emitter-Basis Diode linearisieren und durch einen diffe-<br />

A renziellen Widerstand re = IE UT ersetzen. Formal wird für die Stromverstärkung<br />

A = ICIEdie „Änderungsstromverstärkung“ 0 = IC IE eingeführt.<br />

In gleicher Weise verfährt man für die Stromverstärkung B = ICIBund führt die<br />

„Änderungsstromverstärkung“ 0 =<br />

IC IB ein. Mit der später noch zu erklä-<br />

U CE

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