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Schaltungstechnik

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266 5 Funktionsschaltungen mit Bipolartransistoren<br />

flussbereich der Feldstärke der Raumladungszone am Kollektor-Basis Übergang.<br />

Die von beweglichen Ladungsträgern freie Kollektor-Basis-Raumladungszone ist<br />

um so breiter, je höher die Sperrspannung ist. Mit breiter werdender Raumladungszone<br />

vermindert sich die effektive Basisweite. Der Kollektor-Basis Raumladungszone<br />

kann eine spannungsabhängige Sperrschichtkapazität (CC ) und der in<br />

Flussrichtung betriebenen Emitter-Basis Diode eine Diffusionskapazität (Cb’e )<br />

zwischen der inneren Basis B’ und dem Emitter E zugeordnet werden.<br />

Das Konzentrationsgefälle der freien Ladungsträger (Elektronendichte: np (x)) in<br />

der Basiszone begründet einen Diffusionsstrom, der um so größer ist, je steiler die<br />

Ladungsträgerdichte abfällt. Der Transistoreffekt ist um so ausgeprägter, je mehr<br />

vom Emitter emittierte Elektronen bis zur Raumladungsgrenze x = wB gelangen<br />

und dort zum Kollektor hin „abgesaugt“ werden. Es sollten möglichst wenig<br />

Ladungsträger in der Basiszone rekombinieren. Dies ist um so besser gegeben, je<br />

kleiner die Basisweite wB ist und je geringer die Defektelektronendichte in der<br />

Basiszone ist. In diesem Fall ist der Rekombinationsstrom in der Basiszone sehr<br />

klein, der Injektionsstrom (dargestellt durch die Stromquelle A IE) ist dann mit<br />

A 1 nahezu gleich dem Emitterstrom.<br />

E<br />

n<br />

A UB'E np0 = np0exp ----------<br />

UT U B'E<br />

A UB'E + UB'E<br />

np0 = np0exp------------------------------- Kollektor-Basis<br />

UT Raumladungszone<br />

Q e<br />

Q e<br />

B'<br />

p n<br />

A Ic + Ic<br />

npx U CB'<br />

x<br />

Emitter x = 0 Basis x = w<br />

b<br />

Kollektor<br />

Bild 5.1-11: Ladungsträgerkonzentration der freien Elektronen (Minoritätsträger) –<br />

„Ladungsdreieck“ – in der Basiszone im Normalbetrieb<br />

Basisbahnwiderstand: Die „innere“ Basis B´ wird über einen räumlich sehr<br />

engen Kanal (wB liegt im m-Bereich) mit geringer Defektelektronendichte nach<br />

außen (Anschluss B) geführt. Das bedeutet, dass der Basisbahnwiderstand rb signifikante<br />

Werte (typisch ca. 100 bzw. bis zu einigen 100) annehmen kann.<br />

Early-Effekt: Je größer die Sperrspannung an der Kollektor-Basis-Diode ist,<br />

um so breiter wird die Raumladungszone. Die breitere Raumladungszone vermin-<br />

C

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