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Schaltungstechnik

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264 5 Funktionsschaltungen mit Bipolartransistoren<br />

B<br />

Bild 5.1-8: DC-Stromverstärkung B (entspricht ungefähr h FE) und Sperrstrom I CB0 des<br />

Bipolartransistors BC846<br />

5.1.2 Physikalischer Aufbau und Grundmodell<br />

Es wird der prinzipielle physikalische Aufbau des Bipolartransistors beschrieben.<br />

Aus dem physikalischen Aufbau (Bild 5.1-9) lässt sich unmittelbar ein physikalisches<br />

Grundmodell im Normalbetrieb ableiten.<br />

B<br />

E<br />

I B<br />

Geometrie in Si-Planar-Technik Symbol<br />

ca. 0,3mm<br />

UBE B<br />

IB I E<br />

n<br />

p<br />

n<br />

r b<br />

A <br />

IE I E<br />

Bild 5.1-9: Physikalischer Aufbau des npn Bipolartransistors für Einzeltransistorfertigung<br />

I C<br />

E<br />

C<br />

I E<br />

Stromfluß<br />

U CE<br />

I B<br />

I C<br />

U CB<br />

I C<br />

C

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