Schaltungstechnik

5.1 Eigenschaften und Kennlinien von Bip.-Transistoren 263
Bild 5.1-6: Testschaltung zur Ermittlung der Ausgangskennlinien
Die Ausgangskennlinien (Bild 5.1-7) werden gemäß Testschaltung in Bild 5.1-6
ermittelt. Sie zeigen deutlich die verschobene Sperrkennlinie der Kollektor-Basis
Diode, verschoben um den Injektionsstrom des Transistoreffekts. Der Emitterstrom
wird im Beispiel um 2mA verändert bis 20mA. Die ermittelten Ausgangskennlinien
entsprechen der Darstellung in Bild 5.1-3b).
20mA
I C
15mA
10mA
5mA
0A
0V 4V 8V
Bild 5.1-7: Ausgangskennlinien der Testschaltung mit I E als Parameter
I C
=
fU CB
Parameter:IE
In nachstehenden Datenblattauszügen ist die Stromverstärkung B (entspricht
näherungsweise h FE) in Abhängigkeit vom Kollektorstrom im Arbeitspunkt mit
der Temperatur als Parameter dargestellt. Daneben findet sich der Sperrstrom I CB0.
Er erhöht sich um mehr als dem Faktor 100 bei einer Temperaturerhöhung um
100 o C. Darüber hinaus unterliegt er erheblichen Exemplarstreuungen. Relevant ist
der Sperrstrom insbesondere bei kleinen Betriebsströmen.
I E
=
18mA
16mA
14mA
12mA
10mA
I CB0
8mA
6mA
4mA
2mA
U CB