Schaltungstechnik

262 5 Funktionsschaltungen mit Bipolartransistoren
Experiment 5.1-1: Eingangskennl – Ermittlung der Eingangskennlinie
Bild 5.1-4: Testschaltung zur Ermittlung der Eingangs- und Übertragungskennlinie
1,0A
I C
1,0mA
1,0A
1,0nA
10pA
IC IE = fU BE
0,1V 0,3V 0,5V 0,7V UBE 0,9V
Bild 5.1-5: Eingangskennlinie bzw. Übertragungskennlinie der Testschaltung
Der Sättigungssperrstrom I S würde sich bei idealisierter Fortsetzung der im logarithmischen
Maßstab dargestellten Exponentialkennlinie (linearer Verlauf) in Bild
5.1-5 bei U BE gegen Null ergeben. Im Sperrbereich dominiert der Rekombinationssperrstrom,
der im Modellbeispiel des Transistors Q2N2222 ca. 10pA beträgt.
Üblicherweise liegt der Sperrstrom einer gesperrten Diodenstrecke bei ca. 1nA. Im
Hochstrombereich macht sich, wie bei jedem pn-Übergang im Flussbereich, der
Bahnwiderstand bemerkbar. Die Steilheit der Exponentialfunktion der Emitter-
Basis Diode wird durch den Emissionskoeffizienten NF bestimmt.
Experiment 5.1-2: Ausgangskennl_IE – Ermittlung der Ausgangskennlinien