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Schaltungstechnik

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5.1 Eigenschaften und Kennlinien von Bip.-Transistoren 261<br />

Die wesentlichen Parameter, die das DC-Verhalten eines Bipolartransistors bestimmen,<br />

sind in Tab. 5-1 dargestellt. BF bestimmt die Stromverstärkung im Normalbetrieb,<br />

BR im Inversbetrieb. Im Inversbetrieb ist die Emitter-Basis Diode gesperrt<br />

und die Kollektor-Basis Diode leitend. XTB bestimmt das Temperaturverhalten der<br />

Stromverstärkung. IS ist der Sättigungssperrstrom, NF der Emissionskoeffizient im<br />

Normalbetrieb. Der Emissionskoeffizient NF beeinflusst die Steilheit der Exponentialfunktion<br />

im Flussbetrieb, idealerweise ist NF = 1. NR ist der Emissionskoeffizient<br />

für Inversbetrieb; ISE ist der Rekombinationssperrstrom der Emitter-Basis<br />

Diode, NE der zugehörige Emissionskoeffizient; ISC ist der Rekombinationssperrstrom<br />

der Kollektor-Basis Diode, NC der zugehörige Emissionskoeffizient. Mit<br />

XTI wird das Temperaturverhalten des Sättigungssperrstroms IS beeinflusst. IKF<br />

ist der Knickstrom der Stromverstärkung BF im Normalbetrieb, IKR der Knickstrom<br />

der Stromverstärkung BR im Inversbetrieb. Siehe dazu auch die Parameter<br />

des Diodenmodells in Abschnitt 2.2.3.<br />

Die wichtigsten Kennlinien eines Bipolartransistors sind die Eingangs- bzw.<br />

Übertragungskennlinie und die Ausgangskennlinienfelder. Die Eingangskennlinie<br />

charakterisiert die in Flussrichtung betriebene Emitter-Basis Diode (B’ ist der<br />

innere Basisanschluss). Die Ausgangskennlinienfelder stellen die gesperrte Kollektor-Basis<br />

Diode verschoben um den Injektionsstrom des Transistoreffekts dar. Der<br />

Injektionsstrom wird charakterisiert durch die Stromquelle A IE. a)<br />

b)<br />

U 1<br />

IE IS expUBEUT<br />

I E<br />

U BE<br />

U CB<br />

U1 – 0,7V<br />

= -----------------------<br />

RE = A IE+ ICB0 IC UCB 0<br />

U CE<br />

I E<br />

I C<br />

I E<br />

R E<br />

IE IC 0<br />

IC – 0<br />

7V 0<br />

125 o C<br />

07V 25 o C<br />

ICB0 + A IE1 I CB0<br />

U BE<br />

ICB0 +<br />

A IE4 ICB0 + A IE3 ICB0 + A IE2 U CB<br />

Bild 5.1-3: Kennlinien eines Bipolartransistors und zugehörige Messschaltungen; a) Übertragungskennlinie;<br />

b) Ausgangskennlinien; in beiden Fällen muss U CE hinreichend groß<br />

sein, um die Kollektor-Basis-Diode zu sperren

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